制备高密度多孔二维二硫化钼纳米片的方法

著 录 项 目：

摘     要：本发明涉及纳米材料制备技术领域，具体涉及一种制备高密度多孔二维二硫化钼纳米片的方法，所述方法包括，制备有序铝纳米洞AAO阵列模板；通过CVD法直接在SiO2/Si基底上生成单层MoS2纳米片；将有序铝纳米洞AAO阵列模板转移到单层MoS2纳米片上，得到MoS2纳米片样品；将MoS2纳米片样品转移到离子刻蚀腔体中进行刻蚀，并对MoS2纳米片样品进行轰击；去除MoS2纳米片样品上的模板，得到高密度多孔二维二硫化钼纳米片。本发明不但能够在二维MoS2的基面上引入类边界结构来增加活性位点数量，而且可以直接在SiO2/Si基底上生长单层MoS2，无需转移MoS2，避免了因转移过程中MoS2的损失。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2020/12/25	专利权的转移	登记生效日: 2020.12.15 专利权人由华南师范大学变更为山东天汇光年无人机科技有限公司 地址由526238 广东省广州市番禺区大学城华南师范大学变更为274000 山东省菏泽市高新区中华西路2059号创业大学西楼五楼530号
  2018/03/27	授权
  2017/07/14	实质审查的生效	IPC(主分类): C01G 39/06 专利申请号: 201710199969.X 申请日: 2017.03.30
  2017/06/20	公开