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| 专利/申请号： | CN201711341671.4 | 专利名称： | 一种垂直生长的二硫化钼阵列电极材料及其制备方法 |
| 申请日： | 2017-12-14 | 申请/专利权人 | 三峡大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 湖北省宜昌市大学路8号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | C01G39/06 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2019-09-24 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN108217729B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 18 | 所属领域： | 石墨材料 加氢脱硫 染料敏化太阳能电池 电解水制氢 传感器 场效应晶体管 锂离子电子 超级电容器 催化产氢 能量存储 转换材料 清洁能源专利转让搜索 |
应用场景：超级电容器电极材料;锂离子电池负极材料;电催化析氢;能源存储与转换装置
摘 要：本发明提供一种垂直生长的二硫化钼阵列电极材料，其特征在于，所述的二硫化钼为纳米片状结构，所述的电极材料中，二硫化钼垂直生长于基底上。其具体制备方法是在室温下，将氯化钼溶于乙醇，再加入添加剂，得到前躯液；将上述前躯液滴涂或旋涂到基底上，70~100℃下快速干燥，得到前驱膜；中前驱膜于Ar+S气氛中或N2+S气氛中，经500~900℃烧结10 min~4 h随炉冷却取出即可得到二硫化钼原位电极。利用500~900℃高温，让Ni源、Co源、小分子等添加剂挥发的同时，让Mo元素与S元素结合生成二硫化钼，利用蒸发流垂直于基底这一特点帮助二硫化钼塑性成垂直于基底的阵列。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2019/09/24 | 授权 | |
| 2018/07/24 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C01G 39/06 专利申请号: 201711341671.4 申请日: 2017.12.14 |
| 2018/06/29 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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