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Si纳米线阵列-4H-SiC纳米线阵列、及其制备方法和在紫外光电探测器中的应用

Name: Si纳米线阵列-4H-SiC纳米线阵列、及其制备方法和在紫外光电探测器中的应用
Brand: 陕西科技大学
SKU: 2022115051903
Availability: InStock

📄 申请号：CN202211505190.3 📄 发布日：2026/10/21

著录项目信息

申请日

2022-11-29

公开号

CN115863479B

公开日

2025-04-04

申请人

陕西科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10F71_00

IPC 分类号

H10F71_00 , G01J1_42 , H10F77_14 , H10F77_122 , H10F77_1226 , H10F30_222 , B82B3_00 ,

技术画像

所属领域

半导体材料半导体材料纳米线阵列紫外光电探测器

应用场景

紫外光电探测, 环境监测, 火焰探测, 光通信, 生物医学检测

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摘要

本发明属于光电技术领域，具体来说是Si纳米线阵列‑4H‑SiC纳米线阵列、及其制备方法和在紫外光电探测器中的应用，紫外光电探测器由下至上分别为金属电极、单晶Si基底、Si纳米线阵列、4H‑SiC纳米线阵列、金属电极，紫外光电探测器的制备包括以下步骤：(1)碳化硅与硅单晶片预处理；(2)碳化硅纳米线阵列的生长与转移；(3)硅纳米线阵列的生长；(4)硅纳米线阵列与碳化硅纳米线阵列的焊接制备紫外光电探测器；本发明的紫外光电探测器制备方法简单，成本低廉，通过Si‑4H‑SiC纳米线阵列形成的pn结结构具备较高的响应度，提升了光利用率，可大幅增加紫外光电探测器的探测性能。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于碳化硅三维泡沫制备石墨烯阵列的方法及石墨烯阵列

当前第 / 件

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