发明专利 已授权

一种基于石墨烯-金属超表面的电控太赫兹宽频大相移动态移相器

📄 申请号:CN202411930556.0 📄 发布日:2026/10/09

著录项目信息

申请日
2024-12-26
公开号
CN119695414A
公开日
2025-03-25
申请人
桂林电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

太赫兹通信, 6G通信, 相控阵天线, 波束赋形, 太赫兹成像

摘要

本发明为一种基于石墨烯‑金属超表面的电控太赫兹宽频大相移动态移相器,由高阻硅基底和其上的二维阵列构成。每个阵列单元包含3个沿着竖直方向并排的矩形金属框以及3个嵌入其内部的石墨烯矩形框、3组矩形金属块和2个矩形金属块。每组矩形金属块4个,两两排列于石墨烯矩形框上下两边。2个矩形金属块分别连接于阵列单元左右两侧中部。两个引出电极位于二维阵列两侧,分别与直流电源的正、负极相连接。当偏置电压增加时,透过移相器产生的太赫兹波吸收峰逐渐向低频移动,在吸收峰的右侧会产生宽频、大相移。本发明的电控太赫兹宽频大相移动态移相器制作成本低,响应速度快,在太赫兹相控阵雷达、宽带无线通信等领域有潜在应用价值。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图2
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