本发明涉及一种基于二氧化钒的太赫兹可调控宽带吸波器。该吸波器单胞结构从上至下依次为二氧化钒谐振图案层、二氧化硅介质层和金膜底板层。二氧化钒谐振图案层是由外部金属开口谐振环、中间方环和方环内耶路撒冷十字结构组成的复合结构，耶路撒冷十字结构由十字架、十字架端口的矩形和矩形边上的扇形构成，扇形的弦长与矩形边长相同、圆心角为θr。通过调控外界温度，进而改变二氧化钒的电导率，利用其从绝缘态到金属态的相变特性，从而实现吸波率从3.3％到接近100％的动态调控。本发明具有偏振不敏感和宽入射角稳定性，在4.73‑10.02THz范围内实现90％以上的宽带吸波效果，吸波带宽为5.29THz，相对带宽为71.73％，可广泛应用于成像、调制器、光电开关等领域。
📄 2024109426910
📂 H01Q17_00
👤 常熟理工学院
📅 2024-07-15
本发明公开了一种双频太赫兹幅度调制单元和双频太赫兹幅度调制器，涉及太赫兹波调制技术领域。单元结构包括介质层和位于所述介质层表面的金属超表面结构，所述金属超表面结构由十字型金属片、U型金属片和二氧化钒贴片形成，四个U型金属片分别设置于十字型金属片构成的四个象限内，形心中心对称图案，每个U型金属片通过二氧化钒贴片与十字型金属片连接。通过二氧化钒贴片作为“开关”，利用二氧化钒贴片的低导电率和高导电率之间形成高低频段的两种谐振频率，实现对高、低双频太赫兹波的幅度调节，并具有接近的调制深度。
📄 2024111057331
📂 H01Q15_00
👤 重庆邮电大学
📅 2024-08-13
本发明提供了一种太赫兹相位调制器，采用金属‑石墨烯‑电介质的太赫兹超材料结构，利用单层石墨烯具有高导电率、高移动性和易于集成的特性以及金属和石墨烯的强耦合性，得到高效率、能够大范围的动态连续相位调控的效果。这一高性能的太赫兹相位调制器，可以在光雷达、信息通信、物体成像等太赫兹应用领域发挥重要作用，具有广阔的应用前景。
📄 2020114335909
📂 H01Q3_34
👤 中国科学院深圳先进技术研究院
📅 2020-12-10
本发明公开了一种频率可调太赫兹多带吸收器，包括固定在可旋转平台上的吸收器本体，吸收器本体的吸收表面上排布有若干个吸收单元，每个吸收单元均包括自上而下紧密贴合的金属图样层、损耗介质层和底部全反射层三层结构，金属图样层包括四对以吸收单元表面中心对称的H形金属图样对称结构，每对H形金属图样对称结构均包含两个H形金属结构，四对H形金属图样对称结构以顺时针方向依次均匀排列，本发明解决了现有技术中存在的太赫兹超材料吸收器只能表现出对特定频率电磁波产生响应导致实际应用能力受限的问题。
📄 2019100076982
📂 H01Q17_00
👤 西安理工大学
📅 2019-01-04
本发明公开了一种太赫兹多通道调制器及其制备方法，该调制器包括衬底和外延层，所述外延层上设有调制阵列、第一肖特基电极、第二肖特基电极和欧姆电极，所述调制阵元包括结构单元，所述结构单元设有第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口处分别设有第一高电子迁移率晶体管和第二高电子迁移率晶体管；其中，每行第一高电子迁移率晶体管的栅极通过栅极馈线连接至第一肖特基电极，每行第二高电子迁移率晶体管的栅极通过栅极馈线连接至第二肖特基电极；每行第一高电子迁移率晶体管的源极和漏极通过源漏馈线连接至欧姆电极，每行第二高电子迁移率晶体管的源极和漏极通过源漏馈线连接至欧姆电极。通过该方案实现了对多个频点的太赫兹波进行调制。
📄 202110595595X
📂 G02F1_015
👤 重庆邮电大学
📅 2021-05-28
本发明公开了一种基于金属及二氧化钒的太赫兹开关，其特征在于：包括由下向上依次层叠的截面为正方形的二氧化钒层和二氧化硅层；所述二氧化硅层的表面设有金属贴片层，所述的金属贴片层包括设置在二氧化硅层表面的方形环贴片，方形环贴片围合的二氧化硅层表面区域内设有十字形贴片。本发明对太赫兹波具有优越吸收特性或反射特性，可以实现对太赫兹波吸收或反射的调控。
📄 2020109137664
📂 H01Q17_00
👤 合肥智慧龙机械设计有限公司
📅 2020-09-03
本发明请求保护一种基于“叉指”型结构的透射式太赫兹四分之一波片，太赫兹四分之一波片的基本组成单元是矩形周期单元，该矩形周期单元由金属图案层、中间介质层、金属图案层构成，两个金属图案层的图案相同，金属图案层由矩形金属环及其内侧交叉放置的四个矩形金属条组成。本发明具有很强的实用性，与同性能太赫兹四分之一波片相比，结构更加简单，加工可行性得到提高。该太赫兹四分之一波片的工作带宽大，转换效率更高，未来在太赫兹无线通信、太赫兹探测、太赫兹成像等领域具有极大的发展潜力。
📄 2019100598573
📂 H01Q15_24
👤 重庆邮电大学
📅 2019-01-22
本发明请求保护一种基于H形结构的透射式太赫兹四分之一波片，其太赫兹四分之一波片的基本组成单元是正方形周期单元，该正方形周期单元由两个金属贴片层及其中间的连续介质层构成，金属贴片的形状为H形。本发明提出的结构具有很强的实用性，与同性能太赫兹四分之一波片相比，结构更加简单，加工可行性得到提高。该太赫兹四分之一波片的工作带宽大，工作效率高，结构简单，作为太赫兹领域的基础功能器件，本发明提出的太赫兹四分之一波片在太赫兹无线通信、太赫兹探测、太赫兹成像等领域具有极大的应用前景。
📄 2019103621196
📂 H01Q15_24
👤 重庆邮电大学
📅 2019-04-30
本发明公开了一种基于石墨烯的极化依赖性可调的太赫兹波吸波器，涉及太赫兹吸波器技术领域，由顶部至底部依次设置的金属结构单元层、介质层和金属层，所述三层结构紧密贴合，所述介质层铺设于所述金属层上表面，所述金属结构单元层铺设于所述介质层上表面，所述介质层还铺设有线状石墨烯，所述金属结构单元层包括四种规格相同的H型金属板，所述金属反射板材料为金，所述介质层材料为聚酰亚胺，通过金属结构单元层以及线状石墨烯谐振单元的整体结构尺寸设计，太赫兹超表面上加载单层石墨烯，通过调节石墨烯的化学势来控制超表面对TE和TM波的吸收率，使太赫兹吸波器获得在太赫兹波段对TE波的良好吸收率，同时对TM波的吸收率实现电压调控。
📄 2020113315236
📂 H01Q17_00
👤 重庆邮电大学
📅 2020-11-24
本发明请求保护一种“方环‑四开口环”型的太赫兹低通角度滤波器，其由若干个“方环‑四开口环”型矩形周期单元呈周期性排列组成，该矩形周期单元共有两层，由上至下分别是金属图案层、介质基底层，金属图案层紧贴在介质层表面，金属图案层为一个外方环加一个内四开口环，所述外方环为设置于外围的第一正方形环组成，内四开口环包括一个设置于第一正方形环内部且同轴同心的第二正方形环、以及四个连通并穿过第一正方形环和第二正方形环的长方形构成，四个长方形设置于第一正方形环和第二正方形环的四个中点位置处，且四个长方形互相之间不相交，太赫兹波斜入射到金属图案层时，会激发LC谐振，实现对斜入射波的滤波作用。
📄 2021103199430
📂 H01P1_20
👤 重庆邮电大学
📅 2021-03-25
本发明公开了一种偏振可调太赫兹光电导天线及其制备方法，应用于太赫兹光谱系统，包括：半导体衬底层、介质层和图案层；图案层紧贴于介质层表面，介质层位于半导体衬底层表面；所述图案层包含电极结构，电极结构包括中心对称排布的4个天线电极；结合电极的对称结构以及对外延电极偏置电压的施加方法，最终实现45°倍增的各向异性线偏振可调太赫兹辐射，该结构可以实现8个方向的偏振可调；不仅减少了太赫兹时域光谱系统中偏振器的使用，还提高了被测物质太赫兹谱的信噪比。
📄 2021106094407
📂 H01Q1_22
👤 重庆邮电大学
📅 2021-06-01
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