本发明为一种电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器，包括高阻硅基底、位于高阻硅基底之上的绝缘层表面固定二维阵列。每个阵列单元包括一个冂形金属结构、2个T形金属结构、2个I形金属结构及1条引线。内相变垫片处于单元内的二I形结构相对端的下方，间相变垫片处于行间相对的T形结构横条下方。二维阵列两侧各固定一电极，分别连接直流电源的正负极，不通电时，相变垫片低电导，本滤波器工作于带阻滤波状态；通电加热时，相变垫片高电导，本滤波器工作于带通滤波状态。本发明电控实现太赫兹滤波器的带通滤波/带阻滤波状态的转换，无需繁琐的更换不同功能太赫兹滤波器，适用于不同场合，操作简单，本太赫兹滤波器的应用范围显著地被拓展。
📄 2020100492035
📂 H01P1_20
👤 桂林电子科技大学
📅 2020-01-16
本发明为一种基于石墨烯‑金属超表面的电控太赫兹宽频大相移动态移相器，由高阻硅基底和其上的二维阵列构成。每个阵列单元包含3个沿着竖直方向并排的矩形金属框以及3个嵌入其内部的石墨烯矩形框、3组矩形金属块和2个矩形金属块。每组矩形金属块4个，两两排列于石墨烯矩形框上下两边。2个矩形金属块分别连接于阵列单元左右两侧中部。两个引出电极位于二维阵列两侧，分别与直流电源的正、负极相连接。当偏置电压增加时，透过移相器产生的太赫兹波吸收峰逐渐向低频移动，在吸收峰的右侧会产生宽频、大相移。本发明的电控太赫兹宽频大相移动态移相器制作成本低，响应速度快，在太赫兹相控阵雷达、宽带无线通信等领域有潜在应用价值。
📄 2024119305560
📂 H01P1_18
👤 桂林电子科技大学
📅 2024-12-26
本发明为一种通过静电驱动进行调节的太赫兹带通滤波器，硅基底有通孔，其上为二维阵列，太赫兹波从二维阵列上方进入，穿过二维阵列得到滤波，从通孔射出。矩形可动框架套在二维阵列外，框架左右连接静电梳齿驱动器的活动梳齿，阵列中同一行的U形结构或胖T形结构连接框架内侧，框架前后端连接折叠弹簧。直流电压驱动静电梳齿驱动器工作，带动可动框架移动，U形结构和胖T形结构发生相对运动，以改变它们的间距，调节控制本带通滤波器的透过率和中心频率，从而显著提高了太赫兹带通滤波器的性能，并拓展其应用范围。
📄 2016102988594
📂 H01P1_20
👤 桂林电子科技大学
📅 2016-05-09
本发明为一种通过静电驱动进行调节的太赫兹带阻滤波器，硅基底的通孔上为二维阵列，上方进入的太赫兹波穿过二维阵列得到滤波，从通孔射出。阵列单元包括倒梯形环结构和一字形结构，倒梯形环长底边在上、短底边在下，中空部位也为梯形，一字形与梯形环短底边相对且平行；可动框架套在二维阵列外，框架左右连接静电梳齿驱动器的活动梳齿，阵列中同一行的倒梯形环结构或一字形结构连接框架内侧，框架前后侧连接梳齿驱动器的活动梳齿。直流电压驱动静电梳齿驱动器和梳齿驱动器工作，带动可动框架移动，倒梯形环结构和一字形结构相对运动，改变间距，调节本带阻滤波器的透射功率和中心频率，显著提高了太赫兹带阻滤波器的性能，并拓展其应用范围。
📄 2016105366102
📂 H01P1_20
👤 镁氪锐芯(四川)微系统技术有限公司
📅 2016-07-08
本发明涉及一种基于二氧化钒的太赫兹可调控宽带吸波器。该吸波器单胞结构从上至下依次为二氧化钒谐振图案层、二氧化硅介质层和金膜底板层。二氧化钒谐振图案层是由外部金属开口谐振环、中间方环和方环内耶路撒冷十字结构组成的复合结构，耶路撒冷十字结构由十字架、十字架端口的矩形和矩形边上的扇形构成，扇形的弦长与矩形边长相同、圆心角为θr。通过调控外界温度，进而改变二氧化钒的电导率，利用其从绝缘态到金属态的相变特性，从而实现吸波率从3.3％到接近100％的动态调控。本发明具有偏振不敏感和宽入射角稳定性，在4.73‑10.02THz范围内实现90％以上的宽带吸波效果，吸波带宽为5.29THz，相对带宽为71.73％，可广泛应用于成像、调制器、光电开关等领域。
📄 2024109426910
📂 H01Q17_00
👤 常熟理工学院
📅 2024-07-15
本发明公开了一种双频太赫兹幅度调制单元和双频太赫兹幅度调制器，涉及太赫兹波调制技术领域。单元结构包括介质层和位于所述介质层表面的金属超表面结构，所述金属超表面结构由十字型金属片、U型金属片和二氧化钒贴片形成，四个U型金属片分别设置于十字型金属片构成的四个象限内，形心中心对称图案，每个U型金属片通过二氧化钒贴片与十字型金属片连接。通过二氧化钒贴片作为“开关”，利用二氧化钒贴片的低导电率和高导电率之间形成高低频段的两种谐振频率，实现对高、低双频太赫兹波的幅度调节，并具有接近的调制深度。
📄 2024111057331
📂 H01Q15_00
👤 重庆邮电大学
📅 2024-08-13
本发明提供了一种太赫兹相位调制器，采用金属‑石墨烯‑电介质的太赫兹超材料结构，利用单层石墨烯具有高导电率、高移动性和易于集成的特性以及金属和石墨烯的强耦合性，得到高效率、能够大范围的动态连续相位调控的效果。这一高性能的太赫兹相位调制器，可以在光雷达、信息通信、物体成像等太赫兹应用领域发挥重要作用，具有广阔的应用前景。
📄 2020114335909
📂 H01Q3_34
👤 中国科学院深圳先进技术研究院
📅 2020-12-10
本发明公开了一种太赫兹多通道调制器及其制备方法，该调制器包括衬底和外延层，所述外延层上设有调制阵列、第一肖特基电极、第二肖特基电极和欧姆电极，所述调制阵元包括结构单元，所述结构单元设有第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口处分别设有第一高电子迁移率晶体管和第二高电子迁移率晶体管；其中，每行第一高电子迁移率晶体管的栅极通过栅极馈线连接至第一肖特基电极，每行第二高电子迁移率晶体管的栅极通过栅极馈线连接至第二肖特基电极；每行第一高电子迁移率晶体管的源极和漏极通过源漏馈线连接至欧姆电极，每行第二高电子迁移率晶体管的源极和漏极通过源漏馈线连接至欧姆电极。通过该方案实现了对多个频点的太赫兹波进行调制。
📄 202110595595X
📂 G02F1_015
👤 重庆邮电大学
📅 2021-05-28
本发明公开了一种基于金属及二氧化钒的太赫兹开关，其特征在于：包括由下向上依次层叠的截面为正方形的二氧化钒层和二氧化硅层；所述二氧化硅层的表面设有金属贴片层，所述的金属贴片层包括设置在二氧化硅层表面的方形环贴片，方形环贴片围合的二氧化硅层表面区域内设有十字形贴片。本发明对太赫兹波具有优越吸收特性或反射特性，可以实现对太赫兹波吸收或反射的调控。
📄 2020109137664
📂 H01Q17_00
👤 合肥智慧龙机械设计有限公司
📅 2020-09-03
本发明请求保护一种基于“叉指”型结构的透射式太赫兹四分之一波片，太赫兹四分之一波片的基本组成单元是矩形周期单元，该矩形周期单元由金属图案层、中间介质层、金属图案层构成，两个金属图案层的图案相同，金属图案层由矩形金属环及其内侧交叉放置的四个矩形金属条组成。本发明具有很强的实用性，与同性能太赫兹四分之一波片相比，结构更加简单，加工可行性得到提高。该太赫兹四分之一波片的工作带宽大，转换效率更高，未来在太赫兹无线通信、太赫兹探测、太赫兹成像等领域具有极大的发展潜力。
📄 2019100598573
📂 H01Q15_24
👤 重庆邮电大学
📅 2019-01-22
本发明请求保护一种基于H形结构的透射式太赫兹四分之一波片，其太赫兹四分之一波片的基本组成单元是正方形周期单元，该正方形周期单元由两个金属贴片层及其中间的连续介质层构成，金属贴片的形状为H形。本发明提出的结构具有很强的实用性，与同性能太赫兹四分之一波片相比，结构更加简单，加工可行性得到提高。该太赫兹四分之一波片的工作带宽大，工作效率高，结构简单，作为太赫兹领域的基础功能器件，本发明提出的太赫兹四分之一波片在太赫兹无线通信、太赫兹探测、太赫兹成像等领域具有极大的应用前景。
📄 2019103621196
📂 H01Q15_24
👤 重庆邮电大学
📅 2019-04-30
本发明公开了一种基于石墨烯的极化依赖性可调的太赫兹波吸波器，涉及太赫兹吸波器技术领域，由顶部至底部依次设置的金属结构单元层、介质层和金属层，所述三层结构紧密贴合，所述介质层铺设于所述金属层上表面，所述金属结构单元层铺设于所述介质层上表面，所述介质层还铺设有线状石墨烯，所述金属结构单元层包括四种规格相同的H型金属板，所述金属反射板材料为金，所述介质层材料为聚酰亚胺，通过金属结构单元层以及线状石墨烯谐振单元的整体结构尺寸设计，太赫兹超表面上加载单层石墨烯，通过调节石墨烯的化学势来控制超表面对TE和TM波的吸收率，使太赫兹吸波器获得在太赫兹波段对TE波的良好吸收率，同时对TM波的吸收率实现电压调控。
📄 2020113315236
📂 H01Q17_00
👤 重庆邮电大学
📅 2020-11-24
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