本发明公开了一种可调节的高频电磁带隙带通滤波器，属于微波/毫米波滤波器领域。所述高频电磁带隙带通滤波器由LTCC工艺制造，包括：EBG谐振腔、底部堆叠结构，所述EBG谐振腔内包含电容结构。本发明的滤波器在EBG腔体内引入了高Q值电容结构使滤波器工作频率大大降低，使得小尺寸EBG结构也能够工作在低频频带，且可以通过调节电容极板的大小调节工作频率，相对带宽保持不变；本发明采用多层结构，通过在底层增加介质板和金属板结构来提高滤波器能量存储能力，提高Q值；此外，本发明还具有简易可调、结构简单、易于集成等优点，能够应用在未来的高频领域中。
📄 202111264087X
📂 H01P1_208
👤 江南大学
📅 2021-10-28
本发明公开了一种圆形基片集成波导带通滤波器。该滤波器包括上层金属贴片、介质基片、下层金属贴片；所述上层金属贴片的中部为圆形贴片，圆形贴片中心设有一个金属通孔，其上、下两侧分别设置两个金属通孔；圆形贴片的左、右两侧分别通过第一、第二共面波导过渡为第一、第二微带线，并分别连接输入端、输出端；圆形贴片上、下两侧分别连接矩形贴片，圆形贴片中沿着圆周边线、矩形贴片中沿着不与圆形贴片连接的三侧边线分别设金属通孔；圆形贴片上刻蚀4组第一、第二矩形槽和圆弧形槽，第一、第二矩形槽沿着圆形贴片的径向设置，将圆形贴片均分成四部分。本发明滤波器具有体积小、重量轻的优点，且保证了较好的带外抑制，通带频率选择性好。
📄 2018111240469
📂 H01P1_208
👤 曲阜师范大学
📅 2018-09-26
本发明公开了一种加载方形脊和屏蔽层的LTCC带通滤波器。该滤波器包括由上至下设置的屏蔽层、金属柱和介质层，其中金属柱用于支撑介质层上方的屏蔽层，金属柱上端与屏蔽层相连，下端与介质层相连；所述介质层上、下表面分别设置第一金属贴片、第二金属贴片，第一金属贴片的一侧通过第一微带线与输入端连接、另一侧通过第二微带线与输出端连接；第一金属贴片和第二金属贴片的四侧边线均设有金属通孔，第一、第二金属贴片和金属通孔在第一介质层形成3个谐振腔，第一微带线、第二微带线与相邻谐振腔之间分别嵌入一个方形脊，方形脊位于电场最大处。本发明滤波器具有体积小、重量轻的优点，并且提高了带外抑制性能，减小了通带内回波损耗。
📄 2019102858560
📂 H01P1_208
👤 曲阜师范大学
📅 2019-04-10
本发明公开了一种基于TSV的超紧凑宽阻带U波段SIW滤波器，包括沿水平方向平行设置的上层RDL和下层RDL，上层RDL与下层RDL之间设有硅衬底，硅衬底上分布有三个依次相邻的由TSV构成的谐振腔，上层RDL的相对两侧分别设有输入RDL端口和输出RDL端口。本发明采用直接耦合的拓扑结构，能够实现三阶基片集成。
📄 2021114219245
📂 H01P1_208
👤 西安理工大学
📅 2021-11-26
本发明公开了一种基于TSV的非对称串列形交叉耦合滤波器，包括沿水平方向平行设置的上层RDL和下层RDL，上层RDL与下层RDL之间设有硅基衬底，硅基衬底上分布有六个由TSV构成的谐振腔，六个谐振腔分别与上层RDL和下层RDL配合形成正耦合与负耦合结合的交叉耦合。采用本发明能够实现在太赫兹频段下的滤波功能。
📄 2021116006309
📂 H01P1_208
👤 西安理工大学
📅 2021-12-24
本发明公开了一种基于TSV的六阶高性能交叉耦合SIW滤波器，包括沿水平方向平行设置的上层RDL和下层RDL，上层RDL与下层RDL之间设有硅基衬底，硅基衬底上分布有六个由TSV构成的谐振腔，六个谐振腔依次排布呈L型设置；上层RDL的相对两侧分别设有输入RDL端口和输出RDL端口；上层RDL上开设有S槽缺口a，下层RDL上开设有S槽缺口b，S槽缺口a和S槽缺口b拼接在一起恰好形成两个整圆。本发明采用交叉耦合的拓扑结构，用于实现六阶基片集成波导。
📄 2021116010624
📂 H01P1_208
👤 西安理工大学
📅 2021-12-24
一种适用于5G通信高频段的双零点可调基片集成波导滤波器结构，属于微波无源器件技术领域。本发明包括顶面金属层、中间介质板及底面金属层，中间介质板内通过设置多个连接顶面金属层和底面金属层的金属化过孔，将顶面金属层与底面金属层之间分隔为四个谐振腔，第一、第二及第三谐振腔之间依次设有耦合窗；顶面金属层上刻蚀有连通第一与第四谐振腔的交叉耦合环形槽；该金属刻蚀槽在本专利中首次创新性提出，可在两个基片集成波导谐振腔间实现电容耦合，从而在滤波器的某些耦合拓扑结构中加入交叉耦合，引入传输零点。本发明在基片集成波导滤波器当中引入交叉耦合结构实现上下边频双零点，并且通过改变新颖电容耦合的结构参数，实现双零点的可控。
📄 202111648425X
📂 H01P1_208
👤 杭州电子科技大学
📅 2021-12-31
本发明公开了一种小频率比的小型介质加载双频滤波器，包括：第一双模谐振腔，第二双模谐振腔，和耦合窗；整个滤波器关于所述耦合窗的中心面对称。所述第一双模谐振腔内包括：矩形金属耦合片，第一金属三饼片加载谐振杆，第二金属三饼片加载谐振杆，第一介质基片，第二介质基片，第三介质基片，第一支撑介质，第二支撑介质。本发明通过采用新型双模谐振结构和多层介质基片加载技术，实现了尺寸极小的小频率比的腔体双频滤波特性。因此本发明满足小频率比的小型双频通信系统的设计要求，可应用于移动通信中的基站、雷达、遥感等微波电子系统中。
📄 202111615104X
📂 H01P1_208
👤 井冈山大学; 摩比通讯技术(吉安)有限公司
📅 2021-12-27
本发明公开了一种宽阻带的小型介质加载滤波器，包括：第一谐振腔，第二谐振腔和耦合窗。所述第一谐振腔和所述第二谐振腔内分别包括：金属四饼片加载谐振杆，第一介质基片，第二介质基片，第三介质基片和支撑介质。本发明不仅实现了尺寸的小型化和宽阻带特性，而且还实现了整个介质加载滤波器的可调谐和低成本。与此同时，高功率容量也是该滤波器的有益效果，总之，该滤波器能够满足小型通信系统的设计要求，可应用于移动通信、雷达、卫星等微波电子系统中。
📄 2021116159037
📂 H01P1_208
👤 井冈山大学, 摩比通讯技术(吉安)有限公司
📅 2021-12-27
一种小型化高Q值同轴谐振腔，括：金属腔体、盖板、金属谐振杆；所属金属腔体为所述滤波器腔体为柱体或长方体的立体几何形状，盖板位于金属腔体顶部，使得金属腔体成为密闭空间，减少辐射损耗；金属腔体内部设有金属谐振杆，所述金属谐振杆上端为一圆形平面，下端为一圆形平面，侧表面为渐变内凹型结构；所述金属谐振杆中轴线与金属壳中轴线重合；所述金属谐振杆上端与所述金属腔体之间留有缝隙，形成开路；所述金属谐振杆下端与所述金属腔体直接相连，形成短路；滤波器腔体的尺寸取决于具体的频率和Q值需求。
📄 2023113151028
📂 H01P1_208
👤 江苏理工学院,常州南京大学高新技术研究院
📅 2023-10-11
本发明公开了一种基于时空调制的非互易同轴滤波器，属于同轴滤波器技术领域。该同轴滤波器包括，同轴金属腔体；设置在金属腔体内部的、成对布置的同轴谐振杆组一与同轴谐振杆组二；PCB电路板；与同轴谐振杆组一连接的输出馈电网络；与同轴谐振杆组二连接的输入馈电网络；分别设置在同轴谐振杆组一与同轴谐振杆组二的耦合圆盘；以及设置在所述同轴金属腔体上的耦合短路线；其中，所述同轴谐振杆组一与同轴谐振杆组二的两端均分别与金属腔体、PCB电路板连接；所述耦合短路线与耦合圆盘产生同轴谐振器之间的耦合。本申请的滤波器实现了电磁波传输的非互易性，具有高隔离度、小型化、易与电路集成等优势。
📄 2024110180659
📂 H01P1_208
👤 安徽大学
📅 2024-07-29
本发明属于射频滤波电路技术领域内的一种基于单调谐柱的双频频率可调滤波器，包括矩形腔体以及通过金属板分隔为对称的两个腔体谐振器，两个腔体谐振器中心处均加载有十字介质柱，两个十字介质柱通过一根可旋转的调谐柱相连，十字介质柱由第一介质柱和第二介质柱十字交叉而成；输入馈电结构和输出馈电结构包括同轴探针、介质基板和金属微带线，通过旋转调谐柱改变两对相互垂直的第一介质柱和第二介质柱在腔体谐振器内的投影长度，以控制腔体谐振器的两个基模TE011模式和TM110模式的中心频率；本发明在谐振腔内用一根调谐柱串联一对十字介质柱，通过旋转调谐柱可实现谐振腔内两个模式频率的同步调控，电路调谐结构和调谐方式简单，频率切换速度快。
📄 2024105575437
📂 H01P1_208
👤 安徽大学
📅 2024-05-08
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