发明专利已授权

一种纳米多铁异质结阵列及制备方法和应用

📄 申请号：CN202610402285.4 📄 发布日：2026/08/11

著录项目信息

申请日

2026-03-30

公开号

CN122248837A

公开日

2026-06-19

申请人

龙岩学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10F77_14

IPC 分类号

H10F77_14 , H10F77_12 , B82Y40_00 , H10F71_00 , H10F10_16 , H10F77_20 ,

技术画像

所属领域

多铁性材料多铁性材料纳米材料异质结构

应用场景

信息存储, 自旋电子器件, 磁电传感器, 数据存储, 微电子器件

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摘要

本发明涉及多铁材料、磁电技术领域，具体涉及一种纳米多铁异质结阵列及制备方法和应用。方法包括：在LaAlO3单晶基底表面自下而上依次生长La0.67Sr0.33MnO3层、BiFeO3层以及Ca3CoMnO6复合氧化物层，得到CCMO‑BFO‑LSMO多层外延薄膜；在CCMO‑BFO‑LSMO多层外延薄膜表面铺设聚苯乙烯微球，并对聚苯乙烯微球进行缩径处理，得到缩径聚苯乙烯微球；以缩径聚苯乙烯微球为刻蚀掩膜，通过刻蚀处理形成纳米圆柱阵列，随后去除刻蚀掩膜，得到纳米多铁异质结阵列。本发明的制备方法无需精密对准、避免光刻污染、兼容外延氧化物体系且可大面积制备并支持尺寸可控的纳米多铁异质结构筑方法。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种具备自动升降功能的学习书桌

当前第 / 件

一种动态增益补偿的偏振不敏感五通道六波长选择开关

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