发明专利已授权

一种Co掺杂MoS2阵列原位电极的CVD制备方法

📄 申请号：CN201810196376.2 📄 发布日：2026/08/10

著录项目信息

申请日

2018-03-09

公开号

CN108385132B

公开日

2020-06-23

申请人

三峡大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C25B11_06

IPC 分类号

C25B11_06 , C25B1_04 , C23C16_30 , H01G9_20 ,

技术画像

所属领域

材料科学材料科学电化学纳米技术能源存储与转换

应用场景

电解水制氢；超级电容器；锂离子电池；传感器

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明提供一种Co掺杂MoS2阵列原位电极的CVD制备方法，具体制备方法为：钴盐和氯化钼溶于挥发非水溶剂中，获得Co‑Mo前躯液；上述前躯液涂布到基底上，干燥后在Ar+S气氛中或N2+S气氛中，CVD硫化。硫化反应温度为600~800℃，反应时间为10 min~2 h。本发明的技术方案可用于电解水制氢和染料敏化太阳能电池，对于原位电极的批量生产有重大意义。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20200623

✅ 授权

20180904

?? 实质审查的生效：

20180810

📄 公开

一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法

当前第 / 件

一种CVD方法制备多功能的镍掺杂二硫化钼原位电极

同领域国内专利 · IPC: (C25B11_06)

C25B11_02 C25B11_03 C25B11_031 C25B11_037 C25B11_04 C25B11_042 C25B11_043 C25B11_049 C25B11_052 C25B11_053 C25B11_054 C25B11_06 C25B11_061 C25B11_063 C25B11_065 C25B11_073 C25B11_075 C25B11_077 C25B11_08 C25B11_081 C25B11_085 C25B11_087 C25B11_089 C25B11_091 C25B11_093 C25B11_095 覆盖26个领域

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

暂无同领域相似专利推荐

¥10900.0 元

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：12 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 山东承坤信息科技有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)