发明专利已授权

一种含电子助剂的具有特定暴露晶面的碳化钴基催化剂及其制备方法和应用

📄 申请号：CN202410782971.X 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2024-06-18

公开号

CN118341460B

公开日

2024-11-22

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B01J27_22

IPC 分类号

B01J27_22 , B01J35_50 , B01J35_70 , C10G2_00 ,

技术画像

所属领域

催化剂催化剂碳化钴材料晶面调控技术

应用场景

化工催化, 加氢反应, 费托合成, 能源转化, 工业催化

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摘要

本发明涉及催化剂制备技术领域，公开了一种含电子助剂的具有特定暴露晶面的碳化钴基催化剂及其制备方法和应用。所述含电子助剂的碳化钴基催化剂的制备方法包括以下步骤：1）将钴盐、晶面稳定剂、电子助剂与溶剂混合溶解得到盐溶液；2）将碱性沉淀剂与溶剂混合溶解得到碱溶液；3）将盐溶液和碱溶液通过沉淀法进行沉淀，沉淀后进行分离、干燥、空气氛焙烧；4）将焙烧产物无需还原，直接经碳化生成含电子助剂的具有特定暴露晶面的碳化钴基催化剂。本发明提供了所述的含有电子助剂的碳化钴基催化剂在费托合成中的应用。本发明解决了含电子助剂条件下碳化钴基催化剂暴露晶面合成不可控的问题，所制得的催化剂在费托合成反应中选择性好，转化率高。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种适用于空旷库房的节能加热系统及方法

当前第 / 件

一种醋氯芬酸的制备方法

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