发明专利 已授权

一种二维白磷薄膜、制备方法、应用及装置

📄 申请号:CN202410915375.4 📄 发布日:2026/08/04

著录项目信息

申请日
2024-07-09
公开号
CN118877845B
公开日
2025-04-01
申请人
西南大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

半导体器件, 光电子器件, 储能器件, 催化材料, 传感器

摘要

本发明涉及一种二维白磷薄膜的制备方法、应用及装置。二维白磷薄膜的制备方法,包括以下步骤:采用硅片制备硅衬底;在真空条件下,给镉源除气,然后加热使镉原子蒸发至硅衬底表面,镉原子外延生长,获得镉衬底;在真空条件下,给黑磷除气,然后加热至第一温度以获得P4分子束流,再将其蒸发至第二温度的镉衬底表面,获得由P4分子二聚体平行排列构成的单层二维白磷薄膜。本发明还提供一种所述制备方法制得的单层二维白磷薄膜。本发明还提供一种所述制备方法制得的单层二维白磷薄膜的应用,所述二维白磷薄膜作为纳米墨水的应用。本发明还提供一种用于制备如本发明所述的二维白磷薄膜的装置。本发明制备了一种具有特定结构和性能的二维白磷薄膜。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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