发明专利 已授权

一种新型角位移传感器

📄 申请号:CN201610068699.4 📄 发布日:2026/08/04

著录项目信息

申请日
2016-02-01
公开号
CN105698671B
公开日
2018-03-23
申请人
重庆理工大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

工业自动化, 智能制造, 机器人, 汽车电子, 航空航天

摘要

本发明涉及一种新型角位移传感器,由转子、空间正交且固定不动的至少两组隧穿磁阻TMR芯片以及相匹配的永磁体组成的定子和时栅信号处理系统组成。转子由具有周向分布齿槽结构的导磁材料构成。永磁体随着转子转动产生变化的磁场,TMR隧穿磁阻芯片感应磁场的变化,输出和变化磁场同频的电压信号。随着转子转动,给空间正交的TMR芯片施加时间正交的激励输出反映转轴转动角位移量的信号,将信号送入时栅信号处理系统经过一系列的滤波、整形等处理后输出角位移信息。与传统的角位移传感器相比,本发明具有结构简单、成本低、环境适应性强的特点,在较少的机械等分下可实现高精度的角位移测量。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

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