发明专利已授权

一种适用于磷化铟单晶生长的外加行波磁场控制方法

📄 申请号：CN202211559454.3 📄 发布日：2026/07/24

著录项目信息

申请日

2022-12-06

公开号

CN115821393B

公开日

2025-08-19

申请人

西安交通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B30_04

IPC 分类号

C30B30_04 , C30B29_40 ,

技术画像

所属领域

单晶生长晶体生长技术半导体材料磁场控制技术控制方法单晶生长

应用场景

半导体材料制备, 光电子器件制造, 光纤通信, 高频电子器件制造, 化合物半导体制造

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摘要

本发明公开了一种适用于磷化铟单晶生长的外加行波磁场控制方法，在磷化铟单晶生长炉的金属炉壁外侧施加行波磁场，根据炉壁参数调整磁场频率，使得磷化铟熔体中的洛伦兹力大小达到最大值范围，所述炉壁参数包括炉壁的材质、厚度、内部结构是实心或中空，通过在金属炉壁外侧布置平行的若干组线圈、线圈上有序通入正弦交流电产生行波磁场。本发明在考虑磷化铟单晶生长炉金属炉壁电磁屏蔽作用的情况下，根据炉壁材料、厚度与内部结构参数调整磁场频率，使得磷化铟熔体中的洛伦兹力达到最大值范围，能够充分发挥行波磁场的电磁搅拌作用，从而高效地控制熔体流动、温度分布与结晶界面形状，以利于生长高品质磷化铟单晶。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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议价

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：40 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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