发明专利已授权

一种花状二硫化钨纳米颗粒的制备方法

📄 申请号：CN201410695175.9 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2014-11-27

公开号

CN104393295B

公开日

2017-06-16

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01M4_58

IPC 分类号

H01M4_58 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

二硫化钨纳米材料无机化合物材料材料制备工艺二硫化钨

应用场景

催化剂载体, 固体润滑剂, 储能电极材料, 气体传感器, 光电探测器

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摘要

本发明公开了一种花状二硫化钨纳米颗粒的制备方法，采用的是高温硫化合成法，步骤如下：将单质硫粉、硫脲和WO3按摩尔比10:10:1～20:20:1混合后充分研磨，将研磨后的粉末用压片机在25MPa～35Mpa的压力下压成直径为25～30mm，厚度为4～6mm的圆片；将所压制的圆片放入坩埚，并将坩埚推入管式炉中央位置；向管式炉中通入氩气，并以10～12℃/min的速度将管式炉迅速升温至 800～850℃，并恒温处理30～60 min；然后，自然冷却到室温，得到花状二硫化钨纳米颗粒。本发明方法工艺简单，成本低廉，制备得到的产品纯度高、产率高，有望用于大规模的工业生产。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种LED芯片寿命快速估算方法

当前第 / 件

一种低损耗、高电阻率Bi₄Ti₃O₁₂基无铅压电陶瓷的制备方法

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