发明专利已授权

新型双极化低通带吸型频率选择结构

📄 申请号：CN201810048246.4 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-01-18

公开号

CN108365306B

公开日

2020-06-16

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01P1_20

IPC 分类号

H01P1_20 , H01Q15_00 , H01Q17_00 , H01Q1_42 , H01Q1_34 ,

技术画像

所属领域

频率选择表面频率选择表面天线技术电磁兼容

应用场景

无线通信, 雷达系统, 电磁屏蔽, 天线罩设计

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摘要

本发明涉及新型双极化低通带吸型频率选择结构。传统的吸波性频率选择结构都采用带通型频率选择结构，此类结构通带带宽有限，并且很难覆盖低频。本发明采用单环反射平面，结合单环电路模拟吸收器，搭建出双极化低通带吸型频率选择结构，能够实现低频通带内低插入损耗，并在临近高频处产生一个较宽的吸波带。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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