本发明提供了一种基于变容二极管的有源频率选择表面结构，包括介质板，以及分别设置在介质板上、下表面的顶层金属层、底层金属层；介质板上设置有贯穿该介质板并与顶层金属层和底层金属层相连通的金属通孔；底层金属层包括一竖直居中设置的第一金属片，以及沿该第一金属片对称设置的两个第二金属片，且每个第二金属片均呈水平居中分布；顶层金属层包括一中心金属片，以及四个环绕设置在该中心金属片四周、呈中心对称分布的金属片；相邻两个金属片之间形成金属缝隙，变容二极管加载在金属缝隙之间。该结构基于变容二极管的加载，结构简单、馈电方式简便，谐振频率可调且移动范围宽，且保持了谐振频率对极化的不敏感性，适用于复杂电磁环境。
📄 2018109059598
📂 H01Q15_00
👤 南京邮电大学
📅 2018-08-10
本发明涉及一种应用分形理论的PFS（PatternedFloatShield）结构。现有的片上螺旋电感、变压器由于产生交变的电磁场，会在衬底引起感应电流，产生能量损耗，降低了电感值和Q值。本发明的PFS位于电感、变压器和衬底之间，采用底层薄的金属层，通过自相似和迭代原理进行构造，最后由一条条的相互垂直的金属条合并构成分形结构。本发明有效的屏蔽掉衬底的电磁场效应，降低衬底的损耗，提高了电感值和品质因数。
📄 2012102266890
📂 H01L23_552
👤 杭州电子科技大学
📅 2012-06-29
本发明涉及一种带吸型宽带频率选择结构及其应用。传统的吸波性频率选择结构基于两个或多个二维阵列平面级联的方式，通带窄并且插入损耗大，吸波性能不够优异。本发明采用单金属环吸波周期平面与三维带阻周期结构相结合的方式，搭建出三维宽带吸波性频率选择结构，能够实现通带内低插入损耗，低频宽通带，高频宽吸波带。
📄 2017106802461
📂 H01P1_20
👤 杭州电子科技大学
📅 2017-08-10
本发明涉及三维新型带吸型宽带频率选择结构。传统的吸波性频率选择结构基于两个或多个二维阵列平面级联的方式，通带窄并且插入损耗大，吸波性能不够优异。本发明采用带阻通道结合吸波通道结构的方式，搭建出三维宽带吸波性频率选择结构，能够实现低频通带内低插入损耗，高频宽吸波带。此结构吸波效率高，并且有着极高的角度稳定性。
📄 2017109479621
📂 H01Q15_00
👤 杭州电子科技大学
📅 2017-10-12
本发明涉及新型双极化低通带吸型频率选择结构。传统的吸波性频率选择结构都采用带通型频率选择结构，此类结构通带带宽有限，并且很难覆盖低频。本发明采用单环反射平面，结合单环电路模拟吸收器，搭建出双极化低通带吸型频率选择结构，能够实现低频通带内低插入损耗，并在临近高频处产生一个较宽的吸波带。
📄 2018100482464
📂 H01P1_20
👤 杭州电子科技大学
📅 2018-01-18
本发明涉及双层级联双极化宽带带吸型频率选择表面。传统的吸波性频率选择结构都设计为带通型频率选择结构，此类结构通带带宽有限，并且很难覆盖低频。本发明采用双环反射平面，并且在反射平面另一表面设计吸波环，结合单环电路模拟吸收器，搭建出双层级联双极化宽带带吸型频率选择表面，能够实现低频通带内低插入损耗，并在临近高频处产生一个极宽的吸波带。
📄 2018102150069
📂 H01Q1_42
👤 杭州电子科技大学
📅 2018-03-15
本发明涉及新型三维宽阻带低通频率选择结构。传统的频率选择结构都设计为带通型频率选择结构，此类结构通带带宽有限，并且很难覆盖低频频段，即使能够做到低频带通，所需要设计出的实物尺寸也非常庞大，不便于使用。本发明采用两层平行板波导堆叠的方式，并将两层平行板波导中间部分设计为阻抗不连续平行板波导，设计出具有低通特性的频率选择结构，并且在其相邻高频处具有非常宽的带阻频段。
📄 2018102826546
📂 H01Q15_00
👤 杭州电子科技大学
📅 2018-04-02
本发明涉及三维新型宽带吸波式频率选择结构。传统的吸波性频率选择结构基于两个或多个二维阵列平面级联的方式，通带窄并且插入损耗大，吸波性能不够优异。本发明采用传输通道结合吸波通道结构的方式，搭建出三维新型宽带吸波式频率选择结构，能够实现一个通带，具备低插入损耗和高频率选择特性；两个宽带吸波带，位于通带两侧，此结构吸波率高，厚度较一般的三维吸波式频率选择结构薄。
📄 2018106226476
📂 H01Q15_00
👤 杭州电子科技大学
📅 2018-06-15
本发明公开了一种应用于电磁屏蔽的几何拓扑结构，为了解决现有红外透过率一定时，屏蔽效能低的问题。提出了该结构的红外透过率模型，推导出了理论公式。该结构是十字形结构和圆环形结构相结合，主要由多个相同拓扑单元结构阵列组成的频率选择表面，可提高传统十字形结构屏蔽效能。当电磁波垂直入射于本发明所提出的拓扑结构时，对于1GHz到18GHz频段的电磁波会有较高的屏蔽特性，同时红外透过率高于90％。
📄 2019106651032
📂 H05K9_00
👤 西安工业大学
📅 2019-07-23
本发明涉及反射带可开关型三维宽带吸收式频率选择结构。以往的频率选择结构基本都为无源结构，功能单一，很难对不同环境做出不同的反应。并且少数报道的加载了电调控元件的反射型频率选择结构往往工作频带较窄，工作场合受限。本发明采用双谐振器结合的方式，并通过二极管控制其中一个谐振器的工作状态实现该频率选择结构的反射带的开启与关闭，从而实现工作模式的改变，这大大提升了该频率选择结构的灵活性，拓展了其应用前景。
📄 2020104883146
📂 H01Q15_00
👤 杭州电子科技大学
📅 2020-06-02
本发明涉及一种曲面共形频率选择表面天线罩。该天线罩包括介质天线罩及其外壁设置的曲面共形频选阵列；介质天线罩包括从上至下一体成型的罩顶、圆台、中空圆柱；罩顶的内外两侧作球形处理；圆台为从顶部至底部半径递增的去顶圆锥筒结构；中空圆柱内壁半径与圆台底部内壁半径相等，外侧半径与圆台底部外壁半径相等；曲面共形频选阵列由折叠型频选单元在介质天线罩外表面按照周期排布的原则组阵形成；折叠型频选单元为轴对称和中心对称的缝隙结构，整体形状由左、上、右、下侧的折叠缝隙组成，四条折叠缝隙呈正方形依次连接，折叠型频选单元除去四条折叠缝隙，剩余部分均为金属贴片。本发明抗干扰能力强，且能够实现良好的带内通过性和带外抑制性。
📄 2020112413956
📂 H01Q1_42
👤 曲阜师范大学
📅 2020-11-09
本发明是一种变周期可重构有源频率选择表面单元，包括M×N个周期排列二维谐振单元，每个谐振单元包括第一PIN二极管、第二PIN二极管、第三PIN二极管、第四PIN二极管、第五PIN二极管和第六PIN二极管以及由下而上依次层叠设置的第一介质层、第一金属层、第二介质层；第二介质层的上表面分别设置有十字型的第三金属片、矩形的第四金属片、矩形的第五金属片、矩形的第六金属片、矩形的第七金属片、矩形的第八金属片、矩形的第九金属片、T型的第十金属片、T型的第十一金属片和L型的第十二金属片，该种变周期可重构有源频率选择表面单元通过控制六组PIN二极管的通断组实现一个频到另一个频点的吸波切换，制造工艺简单，具有重要的应用前景。
📄 202010743638X
📂 H01Q15_00
👤 金陵科技学院
📅 2020-07-29
柿子坊 · 知识产权运营
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