发明专利 已授权

一种固态硬盘页级闪存转换层设计方法

📄 申请号:CN201811038059.4 📄 发布日:2026/07/23

著录项目信息

申请日
2018-09-06
公开号
CN109446117B
公开日
2023-02-28
申请人
杭州电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

数据中心, 企业存储, 消费电子, 云计算

摘要

本发明公开了一种固态硬盘页级闪存转换层设计方法。本发明将NAND闪存划分为两个部分:数据块区域和翻译块区域,数据块区域用于储存常规用户数据,翻译块区域只储存映射信息,且整个闪存采用基于页的映射。RAM被分为W‑CMT、R‑CMT、GTD三个部分:W‑CMT用于储存高访问频次的写数据映射信息;R‑CMT用于储存高访问频次的读数据映射信息、GTD用于记录映射块中的地址映射项。本发明实现高灵活性的页级映射的同时,极大程度上减少由于数据更新导致的翻译页频繁更新,进而提升整体系统性能,延长固态硬盘使用寿命。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

议价
不含过户费

📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:23 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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