发明专利已授权

一种垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法

Name: 一种垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法
Brand: 陕西科技大学
SKU: 2019103647783
Availability: InStock

📄 申请号：CN201910364778.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-04-30

申请人

陕西科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01G47_00

IPC 分类号

C01G47_00 , B01J27_04 ,

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料二维材料过渡金属硫化物

应用场景

催化材料, 电子器件, 传感器, 能源存储

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摘要

本发明公开了一种垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法，将三氧化铼置于硅片A上后再置于反应舟中，将碳布基底平铺于反应舟上方，再将硅片B压盖在碳布基底上，同时还在反应舟的两端留置通气口；将硫粉置于反应容器中，反应舟和反应容器均置于石英玻璃管内，将石英玻璃管置于真空管式炉内，然后在惰性气体气氛围下，将真空管式炉内温度升至650‑850℃，保温20‑40min，即得到垂直生长的二硫化铼纳米片。本发明提供的制备方法工艺简单，所制备的三维二硫化铼纳米片作为电化学产氢催化剂具有较好电催化活性，稳定性好。同时由于生长衬底廉价，实验条件可控性好，易于引入实际工业生产当中，因此在绿色化学工业中具有广阔的应用前景。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210528

✅ 授权

20190913

?? 实质审查的生效：

20190820

📄 公开

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