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本发明公开了一种垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法，将三氧化铼置于硅片A上后再置于反应舟中，将碳布基底平铺于反应舟上方，再将硅片B压盖在碳布基底上，同时还在反应舟的两端留置通气口；将硫粉置于反应容器中，反应舟和反应容器均置于石英玻璃管内，将石英玻璃管置于真空管式炉内，然后在惰性气体气氛围下，将真空管式炉内温度升至650‑850℃，保温20‑40min，即得到垂直生长的二硫化铼纳米片。本发明提供的制备方法工艺简单，所制备的三维二硫化铼纳米片作为电化学产氢催化剂具有较好电催化活性，稳定性好。同时由于生长衬底廉价，实验条件可控性好，易于引入实际工业生产当中，因此在绿色化学工业中具有广阔的应用前景。

本发明公开了一种二硫化铼纳米片的制备方法，将三氧化铼置于反应舟中，硅/二氧化硅基底置于反应舟上方，碳布基底平铺于硅/二氧化硅基底前端；硫粉置于反应容器中，反应舟和反应容器均置于石英玻璃管内，石英玻璃管置于真空管式炉内，然后通入载气，在600‑750℃反应，即在硅/二氧化硅基底上得到二维结构的二硫化铼纳米片，在碳布基底上得到垂直生长的三维结构的二硫化铼纳米片。本发明提供的二硫化铼纳米片制备方法工艺简单，所制备的二维材料作为电化学产氢催化剂具有较好电催化活性，稳定性好。同时由于生长衬底廉价，实验条件可控性好，易于引入实际工业生产当中，因此在绿色化学工业中具有广阔的应用前景。

本发明公开了一种高铼酸铵溶液深度净化除铅的方法，属于稀散金属分离提纯领域。本发明的高铼酸铵溶液深度净化除铅的方法，包括高铼酸铵溶液的制备、高铼酸铵溶液中Pb的选择性深度吸附脱出以及吸附净化后液蒸发结晶高纯高铼酸铵。本发明通过针对铅离子合成特殊的冠醚树脂，将其作为铅离子吸附剂吸附去除高铼酸铵溶液中的铅离子，并对其除铅的具体工艺及参数进行优化设计，从而能够高效选择性吸附除铅，保证除铅后的溶液能够蒸发结晶生产99.99％或更高级别的高铼酸铵，降低了有价元素铼的损失，满足了多种行业对高铼酸铵低杂质的要求，其工艺流程短，产品合格率高，生产成本低。

本发明公开了一种高铼酸铵溶液深度净化除钾的方法，属于稀散金属分离提纯领域。本发明的高铼酸铵溶液深度净化除钾的方法，包括高铼酸铵溶液的制备、高铼酸铵溶液中钾离子的选择性深度吸附脱出、新型分子识别阳离子树脂的再生以及吸附净化后液蒸发结晶高纯高铼酸铵四个步骤，通过采用特殊的冠醚树脂作为钾离子吸附剂，并对高铼酸铵溶液深度净化除钾工艺及参数进行优化设计，从而能够高效选择性深度除钾，解决了目前高铼酸铵除钾难度大、工艺流程长、产品合格率低、生产成本高、有价元素铼损失高等问题，保证除钾后的溶液能够蒸发结晶生产99.99％或更高级别的高铼酸铵，满足了多种行业对高铼酸铵低杂质的要求。