发明专利已授权

一种二轴对称多孔腔状阵列结构及其制备方法

📄 申请号：CN202010053457.4 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-01-17

公开号

CN111483971A

公开日

2020-08-04

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B81B1_00

IPC 分类号

B81B1_00 , B81C1_00 , B81C3_00 , B82Y20_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

阵列结构多孔材料微纳结构制造材料制备工艺阵列结构

应用场景

吸声降噪, 结构轻量化, 过滤与分离, 微流控器件, 生物医学支架

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摘要

本发明涉及纳米复合材料微加工技术领域，公开了一种二轴对称多孔腔状阵列结构及其制备方法。该多孔腔状阵列结构包括若干金纳米碗，每个所述金纳米碗周围均均匀分布有6个金纳米碗；所述每个所述金纳米碗的侧面均设有若干4个小孔；所述小孔设于每个金纳米碗上与另一个金纳米碗的邻近处，且每个金纳米碗上的4个小孔两两相对；彼此相邻的两个所述金纳米碗，其邻近处均设有小孔或均不设有小孔所述多孔腔状阵列结构呈二轴对称。本发明的多孔腔状阵列结构扩大了热点范围，并呈二轴对称，有利于纳米结构阵列的应用。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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