发明专利已授权

一种基于原位掺杂改性的聚噻吩衍生物导电薄膜及其制备方法和应用

📄 申请号：CN202010457538.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-05-26

申请人

陕西科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C08L65_00

IPC 分类号

C08L65_00 , C08K3_16 , C08J5_18 , C08J7_00 ,

技术画像

所属领域

导电薄膜导电高分子材料功能薄膜材料掺杂改性技术导电薄膜

应用场景

柔性电子, 有机光电器件, 抗静电涂层, 传感器, 电磁屏蔽

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摘要

本发明公开了一种基于原位掺杂的聚噻吩衍生物导电薄膜及其制备方法和应用，属于有机光电材料技术领域。本发明所述制备方法采用气相渗透技术，有效实现了将MoCl5作为前驱体通过气相渗透循环，对聚噻吩衍生物初始薄膜进行原位掺杂改性，其中，通过调节不同的气相渗透循环次数实现对基体材料中渗透厚度的控制，保证制得的聚噻吩衍生物导电薄膜的结构可控性和稳定性，本发明公开的制备方法工艺简单、操作简便，且经本发明公开的制备方法制得的聚噻吩衍生物导电薄膜，具有电导率优异、渗透厚度可控、材料性能稳定的特点，其改性后的电导率比基体材料提高了4个数量级，因此能够应用于多种电子器件中，在本领域中具有很好的应用价值和工业应用前景。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20221122

✅ 授权

20200925

?? 实质审查的生效：

20200901

📄 公开

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