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本发明公开了一种基于原位掺杂的聚噻吩衍生物导电薄膜及其制备方法和应用，属于有机光电材料技术领域。本发明所述制备方法采用气相渗透技术，有效实现了将MoCl5作为前驱体通过气相渗透循环，对聚噻吩衍生物初始薄膜进行原位掺杂改性，其中，通过调节不同的气相渗透循环次数实现对基体材料中渗透厚度的控制，保证制得的聚噻吩衍生物导电薄膜的结构可控性和稳定性，本发明公开的制备方法工艺简单、操作简便，且经本发明公开的制备方法制得的聚噻吩衍生物导电薄膜，具有电导率优异、渗透厚度可控、材料性能稳定的特点，其改性后的电导率比基体材料提高了4个数量级，因此能够应用于多种电子器件中，在本领域中具有很好的应用价值和工业应用前景。

本发明涉及导电薄膜制备的技术领域，公开了一种PPy‑GNS‑CNT‑PVA导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：采用十二烷基硫酸钠制备石墨烯与碳纳米管分散液；步骤2：在石墨烯与碳纳米管分散液中加入聚乙烯吡咯烷酮，超声处理过后进行磁力搅拌，而后加入蒸馏过的吡咯单体，再加入FeCl3溶液搅拌，制得油墨；步骤3：将油墨在水浴搅拌加热，再加入PVA粉末后继续搅拌，制得薄膜预涂材料；步骤4：将薄膜预涂材料直接涂覆成膜，制得PPy‑GNS‑CNT‑PVA导电薄膜。本发明采用吡咯的原位乳液聚合以及PVA作为导电填料的填充主体，并复合石墨烯和碳纳米管，所得薄膜的导电性和机械性能更好，生物相容性也较好。

本发明公开了一种导电薄膜材料及其制备方法，包括质量份数5～6份的1,3丙磺酸内酯改性UiO‑66‑NH2、4～5份咪唑掺杂的UiO‑66‑NH2以及23～90份的高分子基材，高分子基材为壳聚糖、聚乙烯吡咯烷酮、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的任意一种，和聚偏氟乙烯组成的混合物。将1,3丙磺酸内酯改性UiO‑66‑NH2和咪唑掺杂的UiO‑66‑NH2混合，得到导电粉末，然后与高分子基材一起加入到溶剂中，搅拌均匀，再进行研磨，得到膜液，最后将所得膜液倒在洁净的基板上，放入烘箱，在60～80℃下烘干即得。本发明导电薄膜材料在较宽的温度范围能够保持较高的导电性能，且原材料环保且易得，制备方法简单，性价比高，具有较高的推广价值。

本发明涉及一种纳米微晶纤维素基导电薄膜制备方法。本发明量取一定量的还原氧化石墨烯/二氧化钛乙醇分散液置于烧杯中，加入纳米纤维素悬浊液，随后置于超声清洗仪中超声分散均匀。取混纤微孔过滤膜夹在砂芯玻璃过滤器中，倒入还原氧化石墨烯/二氧化钛/纳米微晶纤维素混合溶胶，进行真空抽滤成膜，将得到的薄膜连同混纤微孔过滤膜一起转移到聚四氟乙烯基片上，滴加丙酮溶液溶解滤膜，对留下的薄膜进行干燥，最后得到纳米微晶纤维素基导电薄膜。本发明以纳米微晶纤维素为导电薄膜基质、以还原氧化石墨烯为导电填料，通过真空过滤法制备复合导电薄膜，充分发挥石墨烯和纳米微晶纤维素的协同效应，赋予纳米微晶纤维素薄膜特殊的导电性能。

本发明提供了一种Ti掺杂多孔钡铁氧体/聚吡咯复合导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1.制备表面处理的PI薄膜；S2.制备干凝胶；S3.制备Ti掺杂多孔钡铁氧体复合材料；S4.制备混合溶液A；S5.将Ti掺杂多孔钡铁氧体复合材料加入至混合溶液A中，混合均匀后，涂抹于步骤S1制备得到的PI薄膜，在恒温恒湿条件下晾干，然后置于低温的吡咯蒸汽中，反应得到导电薄膜。本发明提供一种Ti掺杂多孔钡铁氧体/聚吡咯复合导电薄膜的制备方法，制备得到的导电薄膜具有优异的导电性能。

本发明公开了一种酯化双酚A改性耐热导电薄膜及其制备方法，它是由下述重量份的原料组成的：轻质碳酸钙6‑8、苯胺65‑70、双酚A0.8‑1、三氯化磷2‑3、季戊四醇1‑2、三乙胺0.8‑1、8‑羟基喹啉0.1‑0.2、引发剂1.8‑2、油酸二乙醇酰胺0.8‑1、硬脂酸镁1‑2、甲酸1‑2。本发明以三氯化磷、季戊四醇、双酚A为原料制备耐热双酚A酯，在反应过程中引入聚苯胺，提高了聚苯胺的塑性，改善了各原料的分散性，提高了成品的耐热、力学稳定性。