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本发明提供了一种DAD’非对称结构聚合膜PSWT及其制备方法与应用，所述的方法为：将式1所示的2,7-二溴代-9芴酮，在给电子基团的作用下，偶联反应形成不对称DAD’结构单体，将所述的非对称DAD’结构单体在三电极电解池体系中进行聚合，在室温下采用循环伏安聚合法进行聚合反应，得到沉积在工作电极上的D-A-D’非对称结构聚合膜PSWT。本发明操作方法简单，单体产率及聚合膜的纯度较高，且制得的产物具有更加突出的多色显示和优异的电致变色性能，该材料可应用于电致变色器件中。

本发明公开了一种基于原位掺杂的聚噻吩衍生物导电薄膜及其制备方法和应用，属于有机光电材料技术领域。本发明所述制备方法采用气相渗透技术，有效实现了将MoCl5作为前驱体通过气相渗透循环，对聚噻吩衍生物初始薄膜进行原位掺杂改性，其中，通过调节不同的气相渗透循环次数实现对基体材料中渗透厚度的控制，保证制得的聚噻吩衍生物导电薄膜的结构可控性和稳定性，本发明公开的制备方法工艺简单、操作简便，且经本发明公开的制备方法制得的聚噻吩衍生物导电薄膜，具有电导率优异、渗透厚度可控、材料性能稳定的特点，其改性后的电导率比基体材料提高了4个数量级，因此能够应用于多种电子器件中，在本领域中具有很好的应用价值和工业应用前景。

本发明公开了一种单一手性碳纳米管‑噻吩类聚合物复合材料及其制备方法，属于碳纳米材料领域。本发明通过使用特定噻吩类聚合物取代PFO‑BPy/(6,5)SWCNT上的PFO‑BPy，成功制取了包含高纯度单一手性碳纳米管的噻吩类聚合物/(6,5)SWCNT纳米复合物，解决了噻吩类聚合物直接分散碳纳米管后金属型碳纳米管残留和碳纳米管手性选择性差的问题。

本发明涉及气体传感器技术领域，具体涉及一种PEDOT:PSS/ZIF‑8气敏材料、气敏元件、制备方法及应用，将ZIF‑8溶于超纯水中，超声分散均匀后继续加入EDOT单体和PSS，搅拌后加入引发剂APS，继续搅拌后得到溶液即为PEDOT:PSS/ZIF‑8复合材料，将所得到的PEDOT:PSS/ZIF‑8滴涂于柔性叉指电极上，干燥后并与12kΩ定值电阻、2节干电池串联成闭合回路，接入电压表并与定值电阻并联，即得PEDOT:PSS/ZIF‑8气体传感器；这种EDOT:PSS/ZIF‑8气敏材料、气敏元件的制备方法，解决了如何将ZIF‑8及其复合材料用于气体传感的问题，所制得的气敏材料选择性高，气体响应性好，可用于检测环境中的NH3浓度。