发明专利 已授权

一种菱方相CuCrSe2纳米材料及其制备方法和应用

📄 申请号:CN202111061901.8 📄 发布日:2026/07/23

著录项目信息

申请日
2021-09-10
公开号
CN113697777A
公开日
2021-11-26
申请人
曲阜师范大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

应用场景

热电转换, 余热回收, 电子器件, 传感器

摘要

本发明公开一种菱方相CuCrSe2纳米材料及其制备方法和应用。所述CuCrSe2纳米材料的晶型为菱方相,其微观形貌为纳米级的盘状和/或多边形片状结构。所述制备方法包括步骤:(1)将含有可溶性铜源、铬源、硒源的高沸点反应介质进行溶剂热反应;(2)所述溶剂热反应完成后分离出其中的固体产物,去除其表面残留溶剂,即得。本发明的方法合成的菱方相CuCrSe2纳米材料结晶度高、单分散性高、形貌尺寸均一,且具有圆盘状或多边形片状结构的形貌。本发明方法的反应条件温和、工艺简单,实现了尺寸可控、形貌均一、结晶度高、单分散的菱方相CuCrSe2纳米材料的可控制备,这种纳米材料在光电子器件领域中具有广阔的应用前景。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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