发明专利已授权

一种异相结CdS纳米线的制备方法

📄 申请号：CN202111094594.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-09-17

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01G11_02

IPC 分类号

C01G11_02 , B82Y40_00 , B01J27_04 , B01J35_02 , C02F1_30 , C02F101_30 ,

技术画像

所属领域

纳米线纳米材料半导体材料光催化材料纳米线

应用场景

光催化制氢, 光催化降解污染物, 光电转换, 新能源材料, 环境治理

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摘要

本发明提供了一种异相结CdS纳米线的制备方法，异相结CdS纳米线包括六方相CdS结晶和立方相CdS结晶。制备方法包括配置乙二胺溶液；将氯化镉原料和升华硫分别加入乙二胺溶液中形成第一反应液和第二反应液；将第一反应液滴入第二反应液中，搅拌形成第三反应液；向第三反应液中加入H2O2溶液，搅拌形成CdS前驱体溶液；CdS前驱体溶液置于反应釜中进行热反应，冷却至室温获得异相结CdS纳米线粗品；分离、水洗、醇洗、干燥后获得异相结CdS纳米线成品。本发明制备的异相结CdS纳米线能够实现载流子在界面处的定向分离，能大幅提高光催化降解效率和压电光催化降解效率，且制备方法操作简单高效，成本低廉，适于大批量生产。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230728

✅ 授权

20220121

?? 实质审查的生效：

20211231

📄 公开

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