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本发明提供了一种异相结CdS纳米线的制备方法，异相结CdS纳米线包括六方相CdS结晶和立方相CdS结晶。制备方法包括配置乙二胺溶液；将氯化镉原料和升华硫分别加入乙二胺溶液中形成第一反应液和第二反应液；将第一反应液滴入第二反应液中，搅拌形成第三反应液；向第三反应液中加入H2O2溶液，搅拌形成CdS前驱体溶液；CdS前驱体溶液置于反应釜中进行热反应，冷却至室温获得异相结CdS纳米线粗品；分离、水洗、醇洗、干燥后获得异相结CdS纳米线成品。本发明制备的异相结CdS纳米线能够实现载流子在界面处的定向分离，能大幅提高光催化降解效率和压电光催化降解效率，且制备方法操作简单高效，成本低廉，适于大批量生产。

本发明涉及一种不同发射波长的水溶性CdS量子点原位可控辐射合成方法，包括以下步骤：(1)称取一定量的CdCl2溶于去离子水中，加入巯基丙酸MPA，调节混合溶液pH并加入异丙醇；(2)将上述配置好的溶液装入无色透明PE塑料袋中，封口，采用电子加速器并将溶液置于电子束下辐照；(3)将辐照后的溶液旋蒸、透析、加入异丙醇，离心，干燥，即得产品。本发明合成系列产物具有极好的水溶性、可控的不同粒径、可控的不同的发射波长、荧光量子产率高、分散性和稳定性强等特点，合成条件温和且易于调节、快捷安全、绿色环保、降低使用成本、综合经济效益显著，可推广运用于太阳能电池、光催化材料、荧光探针及三维成像等诸多领域。

本发明公开了一种卷轴状超薄核冠纳米片的制备方法，所述卷轴状核冠纳米片是先合成卷轴状CdSe核纳米片，然后该纳米片核无需提纯处理，直接在其周围外延生长卷轴状CdS冠层，避免提纯过程对核纳米片光学性能的降低。本发明揭示了一种卷轴状核冠纳米片的制备方法，可以有效解决超薄卷轴状核纳米片表面较多的缺陷态引起的光学性能差的问题，而且冠层生长也有利于提高纳米片核的发光性能稳定性，该制备方法简单、易操作，适合于大批量制备，从而能够促进二维超薄纳米片材料在光电器件领域的实际应用。

本发明公开了细乳液胶体内硫化镉纳米线的制备方法，涉及胶体分散、光伏产业和光催化等领域。本发明反相细乳液形成纳米硫化镉粒子，并通过水热法在细乳液胶体内培育硫化镉纳米线晶体。本发明以细乳液形成的液滴为载体，形成硫化镉纳米颗粒的载体；本发明采用聚合后乳胶粒子表面微交联的方法，形成硫化镉颗粒的纳米晶化孵化器；本发明采用乙醇溶液为水热载体，烧结硫化镉颗粒，最终在较低的温度下形成硫化镉纳米线。

本发明公开一种沉淀法制备Sm(OH)3/CdS纳米复合物的方法，包括：1)将Sm(NO)3·6H2O溶于蒸馏水中，制得溶液A；2)调节溶液A的pH至7～13制得溶液B；3)将溶液B陈化；4)产物洗涤后干燥后制得白色粉末C；5)将分析纯柠檬酸和白色粉末C在蒸馏水中完全溶解制得溶液D；6)将分析纯CdCl2完全溶于蒸馏水中，制得溶液E；7)将E溶液缓慢加入到D溶液中，制得前驱液；8)将分析纯Na2S·9H2O完全溶于蒸馏水中，制得溶液F；9)将溶液F加入到前驱液中，产物洗涤、干燥后冷却到室温得到产物Sm(OH)3/CdS纳米复合物。本发明沉淀法所制备的Sm(OH)3/CdS纳米复合物，反应介质为水溶液，安全性高，反应原料易得；所制备Sm(OH)3/CdS纳米复合物具有较好的光催化性能。