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发明专利
已授权
钛合金兆欧级高阻抗表面陶瓷化的原位制备方法
📄 申请号：CN202210241578.0
📄 发布日：2026/07/23
著录项目信息
申请日
2022-03-11
申请人
西安理工大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
C25D11_26
IPC 分类号
C25D11_26
技术画像
所属领域
钛合金表面陶瓷化
钛合金表面陶瓷化
微弧氧化
材料表面工程
应用场景
航空航天, 医疗器械, 化工设备, 电子元器件, 绝缘部件
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摘要
本发明公开了钛合金兆欧级高阻抗表面陶瓷化的原位制备方法，步骤1，钛合金表面进行预处理；步骤2，将预处理后的钛合金试样在混合电解液体系中进行微弧氧化处理，利用非对称双极性脉冲制备兆欧级高阻抗陶瓷，通过引入负向脉冲，降低放电强度，提高复合多相结构陶瓷层的致密性；通过调整非周期脉冲在正向脉冲提高的同时改变脉冲关断时间，降低陶瓷层的冷却速度，减少非晶相的含量，提高金红石相含量、进而提高其绝缘强度，在钛合金表面得到高致密性、晶化程度高及金红石含量高的兆欧级高阻抗陶瓷层。本发明的方法制备的钛合金兆欧级高阻抗陶瓷层可用于电子元器件和需要表面绝缘、高阻抗的领域。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
20230606
✅ 授权
20220607
?? 实质审查的生效 ：
20220520
📄 公开
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委托待转让
📌 交易状态：
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