发明专利已授权

一种基于铁磁斯格明子的二极管

📄 申请号：CN201910426175.1 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-05-21

公开号

CN110190181B

公开日

2021-09-14

申请人

四川师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L43_02

IPC 分类号

H01L43_02 , H01L43_08 ,

技术画像

所属领域

自旋电子学自旋电子学磁性器件纳米电子器件

应用场景

自旋电子器件, 磁性信息存储, 逻辑运算器件, 整流电路, 纳米电子器件

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摘要

本发明提供一种基于铁磁斯格明子的二极管，包括由铁磁层、用于提供DM相互作用的重金属层、衬底层依次设置构成的铁磁赛道。在所述铁磁赛道的上下两面分别设置有用于改变压控区域的磁晶各向异性大小的金属正电极和金属负电极；在所述金属正电极、金属负电极与铁磁赛道的上下表面之间设置有绝缘电介质层；除此之外，在金属正电极和金属负电极上还设置有能够使从铁磁赛道两端运动的斯格明子产生不同运动情况的势垒区。本发明提供的二极管能耗低、尺寸小、不容易损坏。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于MEMS阵列透镜天线

当前第 / 件

一株牛蒡内生链霉菌、含有该内生菌的微生物菌剂及应用

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