发明专利已授权

一种基于熔体近场直写技术的管状支架制备方法

📄 申请号：CN202410754941.8 📄 发布日：2026/06/16

著录项目信息

申请日

2024-06-12

公开号

CN118600644B

公开日

2026-04-07

申请人

浙江理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

D04H1_728

IPC 分类号

D04H1_728 , D04H1_76 , D04H1_435 , D04H1_4358 , D01D5_00 ,

技术画像

所属领域

熔体近场直写增材制造生物医用材料组织工程支架近场直写技术熔体近场直写

应用场景

血管支架, 组织工程, 医疗器械, 微纳制造, 生物支架

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摘要

本发明公开了一种基于熔体近场直写技术的管状支架制备方法。采用熔体近场直写技术，在精准控制射流沉积的基础上制备出不同纤维结构的管状支架。针对目前不同结构管状支架制备的复杂性，通过解构其结构形态，将原本三维立体管状支架转化为二维平面，以二维坐标的形式表达以便更直观地理解其结构特征并进行精确设计。同时在平面上更易实现各种复杂的路径和图案，从而提高设计的自由度。通过平面展开的思路，可以推导出更简便高效的计算方式，从而构建一系列较为简便的数学公式，实现对支架几何参数的精准调控，优化整个制备过程。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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