发明专利已授权

一种低温反应烧结碳化硅陶瓷膜的制备方法

📄 申请号：CN202111458282.6 📄 发布日：2026/06/16

著录项目信息

申请日

2021-12-02

公开号

CN113999046A

公开日

2022-02-01

申请人

浙江理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B38_06

IPC 分类号

C04B38_06 , C04B35_565 , C04B35_622 , C04B35_64 , C04B35_80 ,

技术画像

所属领域

陶瓷材料陶瓷材料膜材料反应烧结工艺

应用场景

水处理, 气体分离, 化工过滤, 高温烟气净化, 液体过滤

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摘要

本发明公开了一种低温反应烧结碳化硅陶瓷膜的制备方法。采用碳化硅粉、硅粉、碳黑、NaCl‑KCl熔盐、高岭土、羧甲基纤维素钠、PVP、甘油和水等原料，通过配料、混料成泥、成型、干燥、烧结和浸水除盐等工艺制备碳化硅陶瓷膜。本发明通过硅与碳固相反应烧结生成的β‑SiC新相及熔盐液相反应将SiC原料颗粒黏连成连续的多孔陶瓷支撑体，表面形成由SiC纳米纤维交织构筑的纳米孔隙，体积密度小，具有烧结温度低、氧化物含量少、内部孔隙率高、表面为纳米孔隙和耐酸碱等特点。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230310

✅ 授权

20220222

?? 实质审查的生效：

20220201

📄 公开

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