发明专利 已授权

一种微秒级真空弧离子源能谱分析仪装置及使用方法

📄 申请号:CN202011015086.7 📄 发布日:2026/06/22

著录项目信息

申请日
2020-09-24
公开号
CN112002629B
公开日
2025-03-07
申请人
桂林理工大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

科学仪器, 材料表面分析, 离子注入, 等离子体诊断, 真空镀膜

摘要

本发明公开了一种微秒级真空弧离子源能谱分析仪装置,包括一个金属外壳,所述金属外壳的顶部有一顶部开口,底部有一开口朝向顶部的凹形底部固定筒,凹形底部固定筒的开口处设置有圆环状的压环;所述金属外壳的内部由顶部开口一侧向内依次设置有引出电极、栅网、收集极,以及将引出电极、栅网、收集极隔开并固定的多片绝缘限位板,所述多片绝缘限位板之间形成腔体。本分析仪装置采用了近于全金属外壳设计,能够最大限度屏蔽外部电磁场的影响,例如真空弧离子源放电时产生的脉冲高压电场有可能对等离子体的扩散、对离子流的测量产生影响,而本分析仪装置可尽量屏蔽外部电磁场,获得更加准确的测量结果。

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是的,该专利已下证,法律状态为“已下证”,公开号: CN112002629B

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

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