发明专利已授权

一种纳米杂化MoS2/Mo2CTx复合材料及其合成方法与应用

📄 申请号：CN202111505178.8 📄 发布日：2026/05/08

著录项目信息

申请日

2021-12-10

公开号

CN114203995B

公开日

2024-12-31

申请人

济南大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01M4_36

IPC 分类号

H01M4_36 , H01M4_58 , H01M4_587 , H01M10_054 , B82Y30_00 , B82Y40_00 , H01G11_24 , H01G11_32 , H01G11_36 , H01G11_86 ,

技术画像

所属领域

纳米复合材料纳米复合材料二维材料 MXene材料

应用场景

储能系统, 超级电容器, 锂离子电池, 电解水制氢, 电化学催化

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摘要

本发明公开一种纳米杂化MoS2/Mo2CTx复合材料及其合成方法与应用，所述方法包括：（1）将溶有硫粉的溶液与Mo2CTx水溶液混合，调节反应体系pH至酸性，分离出反应体系中的固体产物，对其清洗后干燥，得S/Mo2CTx。（2）在流动的保护气制造的隔氧环境下，将硫粉置于保护气上游，将所述S/Mo2CTx置于保护气下游，加热使所述硫粉形成硫蒸汽，该硫蒸气将所述S/Mo2CTx中的Mo2C原位还原成Mo2S，即得MoS2/Mo2CTx复合材料，其中二维结构的MoS2原位结合在Mo2CTx上。这种MoS2/Mo2CTx复合材料作为钠离子电池或电容器的负极材料使用时可使容量和循环稳定性得到显著提升。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种V3S4@C复合材料及其制备方法与应用

当前第 / 件

一种金属有机框架衍生氮掺杂碳纳米片及其制备方法和应用

同领域国内专利 · IPC: (H01M4_36)

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议价

不含过户费

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