发明专利已授权

一种制备铬掺杂单层二硫化钨二维晶体的方法

📄 申请号：CN202011168522.4 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2020-10-28

公开号

CN112174211B

公开日

2021-11-05

申请人

燕山大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01G41_00

IPC 分类号

C01G41_00

技术画像

所属领域

二维材料二维材料过渡金属硫化物掺杂改性

应用场景

电子器件, 光电器件, 传感器, 催化剂

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摘要

本发明涉及一种制备铬掺杂单层二硫化钨二维晶体的方法，属于无机半导体纳米材料制备的技术领域，其包括以下步骤：以Cr、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过S单质对WO3及Cr同时进行硫化，共同参与成键，使Cr取代部分WS2单层二维晶体中W的位置，通过化学气相沉积的方式制备得到Cr掺杂单层WS2二维晶体。本发明所述的方法步骤简单、操作方便，合成速度快且成本低廉，制备得到的Cr掺杂单层WS2二维晶体结晶性好，化学及热力学性能稳定。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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