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二维磁性Fe3GeTe2纳米片与石墨烯纳米片复合材料及其制备方法和应用

📄 申请号：CN202110348967.9 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2021-03-31

公开号

CN113068390A

公开日

2021-07-02

申请人

燕山大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H05K9_00

IPC 分类号

H05K9_00 , C01B19_00 , C01B32_19 , C01B32_194 , B82Y40_00 , B82Y30_00 ,

技术画像

所属领域

二维材料二维材料磁性材料纳米复合材料

应用场景

自旋电子器件, 磁存储器件, 磁性传感器, 高频电磁器件, 纳米电子器件

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摘要

本发明提供一种二维磁性Fe3GeTe2纳米片与石墨烯纳米片复合材料及其制备方法和应用。该制备方法包括：将Fe3GeTe2粉体与丙酮混合，在冰浴环境下超声液相剥离8～20小时，真空抽滤、洗涤后，得到Fe3GeTe2纳米片；将Fe3GeTe2纳米片与石墨、1‑甲基‑2‑吡咯烷酮混合，在冰浴环境下超声液相解离1～5小时，得到二维磁性Fe3GeTe2纳米片和石墨烯纳米片复合材料。由该方法制备得到的Fe3GeTe2纳米片和石墨烯纳米片复合材料，在厚度仅为1.45mm时，对频率为9.9GHz的微波的最大反射损耗为44.43dB。由此说明其具有很好的微波吸收性能，应用前景广阔。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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