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发明专利 已授权

一种NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列及其制备方法和应用

📄 申请号：CN202310569968.5 📄 发布日：2026/07/06

著录项目信息

申请日
2023-05-19
公开号
CN117105289B
公开日
2026-01-23
申请人
江西师范大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
G01N27_12
IPC 分类号
G01N27_12 , C01G53_04 , C01G11_02 ,

技术画像

所属领域

纳米材料 纳米材料 半导体材料 异质结构

应用场景

光催化, 光电转换, 气体传感器, 光电化学水分解
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摘要

本发明属于纳米材料异质结技术领域，具体涉及一种NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列及其制备方法和应用。其包括衬底以及原位生长在衬底表面的NiO/CdS异质结阵列；所述衬底为Al2O3气敏基片；所述NiO/CdS异质结阵列由NiO纳米片和CdS纳米颗粒构成，其中NiO纳米片为垂直交错生长的阵列结构，CdS纳米颗粒均匀的分散在NiO多孔纳米片表面。本发明的制备过程简单，成本低，本发明制备得到的NiO/CdS异质结阵列具有良好的异质界面接触，并且NiO/CdS异质结阵列中CdS纳米颗粒的尺寸和分布密度可以方便的调控，此外，NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列可以应用在在室温气体传感中，具体在绿光激发下三乙胺的室温高选择性检测。

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是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN117105289B

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

一种稀土Ce掺杂Ni5P4多孔纳米片阵列及其制备方法和应用
当前第 / 件
Mn掺杂CoP/MXene异质结构复合材料的制备方法和应用

同领域国内专利 · IPC: (G01N27_12)

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