发明专利已授权

一种双出射方向的Micro-LED结构及其制备方法

Name: 一种双出射方向的Micro-LED结构及其制备方法
Brand: 南京信息工程大学
SKU: 2024114287994
Availability: InStock

📄 申请号：CN202411428799.4 📄 发布日：2026/08/18

著录项目信息

申请日

2024-10-14

公开号

CN119300570B

公开日

2025-11-21

申请人

南京信息工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10H20_821

IPC 分类号

H10H20_821 , H10H20_812 , H10H20_816 , H10H20_01 , H10H20_818 , H10H20_825 , H10H29_30 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

微显示, 增强现实, 虚拟现实, 透明显示, 车载显示

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摘要

本发明公开了一种双出射方向的Micro‑LED结构及其制备方法，其结构包括向上晶面为非极性面的N型GaN层、掩膜层、N型InxGa1‑xN三角岛、量子阱层、P型层、电极以及其它功能层。本发明利用选区外延并结合侧向外延获得具有高度对称性的N型InxGa1‑xN三角岛，并在三角岛的两个对称斜面上生长LED外延层，形成双出射方向的Micro‑LED结构，可作为近眼裸眼三维显示的基础显示单元；同时，在三角岛斜面上生长相互独立的外延LED结构，可以避免传统微加工技术对量子阱和P型层刻蚀损伤带来的不利影响，有效抑制每个发光单元的边缘效应，提高发光效率；以密堆积为基础排列发光单元，可以最大程度上有效利用外延片的面积，将经济效益最大化。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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