发明专利 已授权

一种基于混合谐振的通感一体光芯片及制备方法

📄 申请号:CN202411715636.4 📄 发布日:2026/10/12

著录项目信息

申请日
2024-11-27
公开号
CN119439374B
公开日
2025-09-26
申请人
南京信息工程大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

所属领域

应用场景

光通信网络, 数据中心互连, 光纤传感, 智能感知, 车载光电子系统

摘要

本发明公开了一种基于混合谐振的通感一体光芯片及制备方法,涉及光电集成技术领域。本发明包括硅基片,所述硅基片的顶部沉积有氧化埋层,所述氧化埋层的上方安装有多层矩形波导,多层矩形波导的一端与氧化埋层保持齐平,另一端安装有硅矩形波导,所述多层矩形波导朝向氧化埋层中心的一端设置有反向拉锥部,硅矩形波导远离氧化埋层中心的一端设置有正向拉锥部。本发明基于片上光互连实现介质‑金属混合型谐振腔与片上硅及普通介质波导的混合集成,利用光学和等离子体模式间的强耦合激发出准连续谱束缚态,既能够实现高灵敏度的片上光传感,又极大地提升了品质因子,并且具有较低的传输损耗。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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