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本发明公开少模光纤和硅基多模芯片耦合结构及制备方法，属于光学元件、系统或仪器技术领域。耦合结构包括硅基多模芯片、少模光纤、少模光子引线键合波导、光纤底座；硅基多模芯片包含硅衬底、埋氧层、硅基波导、上包层、亚波长光栅倒置级联锥形波导、对准标记；少模光纤包括纤芯和包层；少模光子引线键合波导包含亚波长光栅倒置级联锥形波导上方的方形波导、过渡波导、弯曲波导；光纤底座是一个用于固定芯片以及光纤位置的阶梯型底座。硅基多模芯片与少模光纤通过上层少模光子引线键合波导和下层亚波长光栅倒置级联锥形波导组合的少模耦合结构连接，增强模式杂化效应，实现硅基矩形矢量模与少模光纤圆形线偏振模匹配。