发明专利已授权

一种基于SOI晶片的可调光栅滤波器及制备方法

Name: 一种基于SOI晶片的可调光栅滤波器及制备方法
Brand: 南京邮电大学
SKU: 201811433756X
Availability: InStock

📄 申请号：CN201811433756.X 📄 发布日：2026/07/06

著录项目信息

申请日

2018-11-28

公开号

CN109270626B

公开日

2020-05-26

申请人

南京邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G02B6_12

IPC 分类号

G02B6_12 , G02B6_124 , G02B6_13 , G02B6_136 ,

技术画像

所属领域

滤波器光通信器件可调谐光学器件硅基光子器件滤波器

应用场景

光通信, 波分复用, 光网络, 光信号处理, 光学传感

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摘要

本发明公开了一种基于SOI晶片的可调光栅滤波器及制备方法，包括SOI晶片，SOI晶片的顶层硅被完全刻穿形成间隔的、周期性的矩形硅和光栅刻槽，所述刻槽内填充介质材料，在所述介质材料上溅射一定厚度的金属层作为电极。本发明采用的全刻蚀光栅没有刻蚀深度的问题，并且通过光栅刻槽间加入介质材料，减少光栅和刻槽之间的折射率差，从而获得较窄的反射波段，达到浅刻蚀所能达到的效果，对于完全刻蚀的矩形波导可以和光栅同步制作。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN109270626B

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该专利的转让价格是多少？

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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