发明专利已授权

锡锑梯度掺杂绝缘半导体釉料及其低温烧结工艺

📄 申请号：CN202510592637.2 📄 发布日：2026/01/28

著录项目信息

申请日

2025-05-09

公开号

CN120097633A

公开日

2025-06-06

申请人

苏州工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C03C8_20

IPC 分类号

C03C8_20 , C03C8_04 , C04B41_89 ,

技术画像

所属领域

陶瓷釉料陶瓷釉料半导体陶瓷材料低温烧结工艺

应用场景

电力绝缘子, 电子元器件, 陶瓷基板, 高压电气设备, 半导体器件封装

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摘要

本发明涉及半导体陶瓷制备领域，具体涉及锡锑梯度掺杂绝缘半导体釉料及其低温烧结工艺。本发明通过对锡锑固溶体不同的处理工艺形成釉层内层至表层单位体积元素掺杂量的梯度变化，相较于传统均匀掺杂，本发明可以有效降低表面电场畸变率，提升表面污闪电压。本发明采用复合助熔剂体系，将烧结温度降低，并采用分段差异化气氛烧结保证釉层结构致密性，并避免了掺杂元素在高温下的过度损失，提升了釉层整体性能。本发明通过表面光催化料的掺杂，在烧结后与内部掺杂材料形成异质结结构，形成了较强的表面光清洁性能，降低污闪发生的概率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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