发明专利已授权

一种环境友好型锡锑-稀土复合半导体釉料及其无铅低温固化方法

📄 申请号：CN202510483075.8 📄 发布日：2026/01/28

著录项目信息

申请日

2025-04-17

公开号

CN119977332B

公开日

2025-07-04

申请人

苏州工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C03C8_00

IPC 分类号

C03C8_00 , C03C1_02 , C04B41_86 ,

技术画像

所属领域

陶瓷釉料陶瓷釉料半导体材料复合材料

应用场景

建筑陶瓷, 电子陶瓷, 电力绝缘子, 电气设备绝缘涂层, 工业防腐涂层

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摘要

本发明公开了一种环境友好型锡锑‑稀土复合半导体釉料及其无铅低温固化方法，其特征在于，包括化学式为SnxAyO2·nSbO的主相，质量百分比≥98%，其余为杂相；其中n=0.20‑0.40，4x+3y=4，0.1≤y≤0.2，A为+3价稀土元素；所述杂相为硼、硅、铋、钴、锶、钙、铁中的一种或多种元素的氧化物。本方案具有制备工艺简单，整个制备过程最高温度仅在1000℃左右，固化温度更是仅有800℃左右，制得的环境友好型锡锑‑稀土复合半导体釉料具有较好的电学性能、耐冷热性能和弯曲强度。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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