发明专利 审查中

一种碳化硅薄膜成型装置及其碳化硅薄膜的制备工艺

📄 申请号:CN202410236827.6 📄 发布日:2026/01/28

著录项目信息

申请日
2024-03-01
公开号
CN118146026A
公开日
2024-06-07
申请人
浙江芯科半导体有限公司
法律状态
授权未缴费
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

半导体器件制造, 功率器件, 高温电子器件, LED衬底, 新能源汽车

摘要

本发明涉及半导体材料制备技术领域,具体公开了一种碳化硅薄膜成型装置及其碳化硅薄膜的制备工艺,包括:S1、生物模板准备,S2、表面修饰,S3、溶液制备,S4、生物模板浸渍,S5、碳化硅薄膜的生长,S6、表面修饰和优化以及S7、表征与测试;本发明利用硅藻、细菌或其他微生物的天然结构作为模板,提供了对结构形貌的高度控制能力,可以实现微米到纳米级别的尺寸控制,可以获得复杂、多孔的碳化硅薄膜结构,可以应用于纳米器件制备,由于使用生物来源的模板,相对于传统的纳米材料制备方法,这种方法更为环保,不需要使用大量的有机溶剂和高温处理,通过对生物模板表面进行修饰,可以调控碳源前体与生物模板的相互作用,进而调控薄膜的表面性质。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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