发明专利 已授权

一种钴基高饱和磁感应强度薄带材料及制备方法

📄 申请号:CN201410075591.9 📄 发布日:2025/12/23

著录项目信息

申请日
2014-03-04
公开号
CN103820679B
公开日
2015-10-21
申请人
南京信息工程大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

电力电子, 变压器, 电感器, 传感器, 电机

摘要

本发明提供一种钴基高饱和磁感应强度薄带材料及制备方法,该合金薄带材料具有高的高饱和磁感应强度。该制备方法工艺简单,生产成本低,适于工业化生产。该钴基高饱和磁感应强度薄带材料中各成分的重量百分含量为:Sm 0.01%~0.05%, Ga 0.01%~0.05%,B 6%~9%,Te 0.5%~0.9% ,S 0.05%~0.09%,Al 4%~6%,Fe 1%~4%,Si 1.4%~1.9%,其余为Co。该材料的组织特点为纳米晶。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

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