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发明专利
已授权
一种低介低损钙铝硼硅基微晶玻璃材料及制备方法
📄 申请号:CN202210391924.3
📄 发布日:2026/08/10
著录项目信息
申请日
2022-04-14
公开号
CN114671614B
公开日
2022-11-18
申请人
电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
C03C10_02
IPC 分类号
C03C10_02
,
C03C6_04
,
C03B19_06
,
技术画像
所属领域
玻璃材料
玻璃材料
应用场景
5G通信, 电子封装基板, 微波射频器件, 高频通信设备, 半导体封装
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摘要
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,涉及一种低介低损钙铝硼硅基微晶玻璃材料及其制备方法。本发明通过对钙硼硅基微晶玻璃材料的原料组分以及比例的重大幅度调整,最终以钙、铝、硼和硅为基料,辅以BaCO3、P2O5,并微量添加CeO2、La2O3和Na2CO3作为微量元素,通过将原料熔融、水淬、造粒等工艺,即可在850~950℃的低温下烧结获得低介(εr=4~5)、低损(Tanδ<0.0006)的微晶玻璃陶瓷材料。其具有高信号传输速度,大大降低了功耗;烧结温度低(850℃~950℃),能很好的和低电阻率的银电极共烧,适用于制造低温共烧多层陶瓷基板,满足LTCC的工艺条件要求,且性能更佳,为高速电路的需求提供了更好的选择。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
20221118
✅ 授权
20220715
?? 实质审查的生效 :
20220628
📄 公开
基于贝叶斯神经网络随机加法饱和结构的图像分类方法
当前第 / 件
一种低介低损Ca-Al-B基LTCC材料及其制备方法
同领域国内专利 · IPC: (C03C10_02)
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覆盖
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