发明专利已授权

太赫兹无跳线倒置共面波导单片电路封装过渡结构

📄 申请号：CN201710541114.0 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2017-07-05

公开号

CN107317081B

公开日

2020-11-10

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01P5_08

IPC 分类号

H01P5_08

技术画像

所属领域

微波电路微波电路太赫兹技术半导体封装

应用场景

太赫兹通信, 集成电路封装, 射频前端

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摘要

本发明公开了一种太赫兹无跳线倒置共面波导单片电路封装过渡结构，其特征在于：包括下腔体、上腔体和共面波导电路，上腔体封盖在下腔体上形成依次连通的矩形波导腔、共面波导电路屏蔽腔和单片电路屏蔽腔，单片电路屏蔽腔内安装有单片电路，共面波导电路安装在共面波导电路屏蔽腔内，共面波导电路与单片电路相连；本发明所提供的一种太赫兹无跳线倒置共面波导单片电路封装过渡结构，能效降低芯片封装结构在太赫兹频段的损耗，提升封装新能，降低工艺复杂度和成本，结构简洁，设计制造方便。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20201110

✅ 授权

20171128

?? 实质审查的生效：

20171103

📄 公开

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