发明专利已授权

一种超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片的制备方法

📄 申请号：CN201910990082.1 📄 发布日：2026/04/16

著录项目信息

申请日

2019-10-17

公开号

CN110711610B

公开日

2021-10-29

申请人

桂林理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B01L3_00

IPC 分类号

B01L3_00 , B81C1_00 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

微阵列芯片微阵列芯片生物芯片纳米材料

应用场景

生物传感器, 疾病诊断, 基因检测, 微流控芯片, 表面增强拉曼散射检测

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摘要

本发明公开了一种超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片的制备方法。其方法步骤：先将ITO表面进行巯基硅烷化处理，以增加其对Au纳米微粒的粘附性，然后利用恒电压沉积技术将具有树枝晶形貌的纳米金沉积在ITO电极上。之后通过在120℃的恒温干燥箱中反应3h，将树枝状金ITO表面的润湿态由亲水态转变为超疏水态。最后通过激光刻蚀技术，在超疏水表面刻蚀出8个具有超亲水边缘的微阵列圆孔，以得到超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片。本发明方法制备过程简单，成本低廉，制备的芯片具有富集微液滴的能力，且得到的树枝状金表面洁净、无污染，在生物分析、表面拉曼增强领域有广阔的应用前景。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种制备Ag2Se-Pb3(PO4)2异质结纳米薄膜的方法

当前第 / 件

一种检测血清中人cTnI的超敏荧光猝灭免疫传感器及检测方法

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