发明专利已授权

一种制备Ag2Se-Pb3(PO4)2异质结纳米薄膜的方法

📄 申请号：CN201610940878.2 📄 发布日：2026/04/16

著录项目信息

申请日

2016-10-26

公开号

CN106501344B

公开日

2019-02-26

申请人

桂林理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01N27_48

IPC 分类号

G01N27_48 , C25D9_04 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料半导体异质结薄膜制备技术

应用场景

热电转换, 光电探测, 微电子器件, 传感器, 新能源材料

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明公开了一种制备Ag2Se‑Pb3(PO4)2异质结纳米薄膜的方法。利用电沉积的方法将PbSe沉积在电极表面，形成一种载体薄膜，把电极浸入Ag2Se生长溶液中，再在恒温水浴锅中生长24h，最后取出电极，电极上就生长出Ag2Se‑Pb3(PO4)2异质结纳米薄膜。本发明方法制备过程简单，且所制得的Ag2Se‑Pb3(PO4)2异质结纳米薄膜附着力强，效率高，成本低，易于大规模推广生产。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

罗丹明6G‑磷钨酸杂化纳米微粒修饰玻碳电极的方法

当前第 / 件

一种超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片的制备方法

同领域国内专利 · IPC: (G01N27_48)

G01N27_00 G01N27_02 G01N27_04 G01N27_06 G01N27_07 G01N27_08 G01N27_10 G01N27_12 G01N27_18 G01N27_22 G01N27_24 G01N27_26 G01N27_27 G01N27_28 G01N27_30 G01N27_31 G01N27_32 G01N27_327 G01N27_333 G01N27_36 G01N27_38 G01N27_403 G01N27_406 G01N27_407 G01N27_409 G01N27_414 G01N27_416 G01N27_42 G01N27_44 G01N27_447 G01N27_453 G01N27_48 G01N27_49 G01N27_60 G01N27_61 G01N27_62 G01N27_626 G01N27_64 G01N27_66 G01N27_72 G01N27_74 G01N27_80 G01N27_82 G01N27_83 G01N27_84 G01N27_85 G01N27_90 G01N27_9013 G01N27_904 G01N27_9093 G01N27_92 覆盖51个领域

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

暂无同领域相似专利推荐

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：57 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)