发明专利已授权

Bi2S3@Cu2O@Cu微纳米异质结构的制备方法

Name: Bi2S3@Cu2O@Cu微纳米异质结构的制备方法
Brand: 重庆交通大学
SKU: 2019104629496
Availability: InStock

📄 申请号：CN201910462949.6 📄 发布日：2026/04/08

著录项目信息

申请日

2019-05-30

公开号

CN110152684A

公开日

2019-08-23

申请人

重庆交通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B01J27_04

IPC 分类号

B01J27_04 , B01J37_10 , B01J37_03 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料异质结构半导体材料

应用场景

光催化, 光电转换, 太阳能电池, 光电探测器, 气体传感器

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摘要

本发明公开了一种Bi2S3@Cu2O@Cu微纳米异质结构的制备方法，包括以下步骤：通过Bi2S3纳米线复合铜氧化物在Bi2S3表面生长铜氧化物及铜单质以形成Bi2S3@Cu2O@Cu的异质结构；通过复合具有不同能级的Bi2S3和Cu2O两个半导体以及Cu单质可以有效提高太阳能的吸收率和抑制光生电子对的复合率，达到提高材料性能的目的，并通过调控反应原料比例、反应时间以实现调控异质结的密度、形貌和尺度。该方法工艺简单,反应温度相对较低，反应条件易于控制,成本低廉、操作简单，在制备过程中没有采用表面活性剂和有机助剂，反应过程中采用无毒的、常规的原料和试剂，生产成本低廉且环保。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN110152684A

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220510

✅ 授权

20190917

?? 实质审查的生效：

20190823

📄 公开

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：103 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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