发明专利已授权

一种抑制界面IMC生长的微焊点的制备方法

Name: 一种抑制界面IMC生长的微焊点的制备方法
Brand: 重庆理工大学
SKU: 2019110938406
Availability: InStock

📄 申请号：CN201911093840.6 📄 发布日：2026/08/06

著录项目信息

申请日

2019-11-11

申请人

重庆理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B23K31_00

IPC 分类号

B23K31_00 , C23C30_00 , C23F1_30 , C23F1_10 ,

技术画像

所属领域

电子封装技术电子封装技术微连接工艺金属间化合物控制

应用场景

集成电路封装, 芯片互连, 功率器件封装, 微电子组装, 电子器件可靠性

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摘要

本发明公开了一种抑制界面IMC生长的微焊点的制备方法，其包括如下步骤：步骤一，沉积薄膜，提供两块金属基底，在所述金属基底的焊接面上沉积有Co‑P纳米晶薄膜，该Co‑P纳米晶薄膜中P的原子百分比为0.1~10at.%；步骤二，钎焊，将两块金属基底的焊接面对准，以纯Sn作为钎料，利用浸焊在两块金属基底的焊接面之间制得Co‑P/Sn/Ag微互连结构；步骤三，超声刻蚀处理，对制得的Co‑P/Sn/Co‑P微互连结构进行超声刻蚀处理，除去未反应的纯Sn钎料，在金属基底上得到Co‑P/CoSn3结构；步骤四，回流焊，将刻蚀后的Co‑P/CoSn3结构用SnAg锡膏连接，并进行回流焊，得到具有Co‑P/SnAg/Co‑P微互连结构的微焊点。其能够有效抑制使用过程中温度梯度造成的原子迁移，同时能够抑制界面IMC在热迁移下的继续生长，提高微焊点的可靠性。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210803

✅ 授权

20200211

?? 实质审查的生效：

20200114

📄 公开

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