发明专利 已授权

零场镝单离子磁体及其制备方法和应用

📄 申请号:CN202111371426.4 📄 发布日:2026/07/20

著录项目信息

申请日
2021-11-18
公开号
CN114031634B
公开日
2024-03-19
申请人
江苏科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

应用场景

量子计算, 高密度数据存储, 分子自旋电子学, 信息存储

摘要

本发明公开了零场镝单离子磁体及其制备方法和应用,所述镝单离子磁体的化学式为:[Dy(EO5)(OPhCl2NO2)2](OPhCl2NO2),其中EO5为五甘醇,HOPhCl2NO2为2,6‑二氯‑4‑硝基苯酚。与现有技术相比,本发明具有以下优点:(1)本发明所述镝单离子磁体在不需要加场的情况下就能表现出典型的慢弛豫行为,具有单分子磁体特征,可作为分子基磁性材料在新型高密度信息存储设备(如光盘、硬磁盘等)使用;(2)所述镝单离子磁体在空气中不风化,稳定性好;(3)所述方法工艺安全简单,可控性高,重现性好。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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