发明专利已授权

一种ReBa2Cu3O7-x超导薄膜上制备钉扎层的方法

📄 申请号：CN201810845782.7 📄 发布日：2025/11/16

著录项目信息

申请日

2018-07-27

公开号

CN108963067B

公开日

2022-04-29

申请人

武汉工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L39_24

IPC 分类号

H01L39_24

技术画像

所属领域

超导材料超导材料薄膜制备技术磁通钉扎技术

应用场景

超导电力设备, 超导磁体, 磁悬浮交通, 高场磁体, 超导储能系统

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摘要

本发明提供一种ReBa2Cu3O7‑x超导薄膜上制备钉扎层的方法，涉及陶瓷材料制备技术领域。本发明为一种ReBa2Cu3O7‑x超导薄膜上制备钉扎层的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供金属元素掺杂的ReBa2Cu3O7‑x模板层，以及在所述ReBa2Cu3O7‑x模板层表面沉积ReBa2Cu3O7‑x超导层；以及，激光照射所述ReBa2Cu3O7‑x超导层。激光照射成膜辅助沉积得到均匀的温度场和能量场，使制备的薄膜面内取向更好，且沉积速率更快、沉积温度更低，大幅度地提高高温超导在高场下的临界电流密度及磁通钉扎力，提高钇系高温超导材料性能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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